分析:NAND芯片價(jià)格水平持續(xù)較高 磁盤驅(qū)動(dòng)器尚有生存空間

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佚名
閃存芯片的成本要比選轉(zhuǎn)型硬盤高出8倍之多,SSD的價(jià)格還沒有低到完全取代磁盤。 閃存存儲(chǔ)沒TB的成本多年來一直下滑,因?yàn)橥ㄟ^制造更小的單元使得芯片容量日益增加,因?yàn)橥ㄟ^制造更小的單元,然后使用3D NAND對(duì)單...

閃存芯片的成本要比選轉(zhuǎn)型硬盤高出8倍之多,SSD的價(jià)格還沒有低到完全取代磁盤。

閃存存儲(chǔ)沒TB的成本多年來一直下滑,因?yàn)橥ㄟ^制造更小的單元使得芯片容量日益增加,因?yàn)橥ㄟ^制造更小的單元,然后使用3D NAND對(duì)單元進(jìn)行分層。這意味著你可以從一個(gè)NAND晶圓中制造出更多芯片,而且成本更低。

閃存的訪問速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于磁盤,但是成本較高,因此對(duì)性能敏感的使用場景已經(jīng)從使用磁盤轉(zhuǎn)向了使用閃存,即使有額外成本是合理的。

所以,我們看到了1.5萬轉(zhuǎn)磁盤驅(qū)動(dòng)器正在被SSD取代,并且面臨著潛在的、可能的消亡,不僅如此,1萬轉(zhuǎn)磁盤驅(qū)動(dòng)器也面臨著SSD的侵蝕。

那容量更高的近線驅(qū)動(dòng)器呢?

SSD容量的增長速度要比磁盤快得多,現(xiàn)在市場上已經(jīng)有了容量超過15TB的SSD——例如100TB的Viking SSD——相比之下,磁盤驅(qū)動(dòng)器的最大容量僅為14TB。

QLC(4位/單元)閃存帶來了容量的又一次飛躍,每個(gè)單元的容量比當(dāng)前的TLC(3位/單元)高出1/3。

加之閃存比磁盤快得多,所以這些促使著快速訪問的近線驅(qū)動(dòng)器使用場景也轉(zhuǎn)向使用閃存。

希捷的驅(qū)動(dòng)路線圖顯示,磁盤驅(qū)動(dòng)器也變得越來越便宜,幾年的時(shí)間容量已經(jīng)增加到超過40TB。

隨著閃存制造能力的提高, SSD會(huì)徹底取代HDD嗎?SSD容量成本的下降是否會(huì)擊敗磁盤起容量成本的下降以實(shí)現(xiàn)兩者的交叉?

Gartner研究表明沒有。

下面的圖表顯示了從2014年到2021年Gartner對(duì)SSD和HDD成本趨勢(shì)預(yù)測(cè):

我們?cè)贗nfinidat簡報(bào)會(huì)上看到了該圖表。圖表顯示,SSD平均價(jià)格從2014年的大約0.84美元/GB下降到2021年預(yù)期的0.10美元/GB。磁盤驅(qū)動(dòng)器價(jià)格下降的速度看起來像比較緩慢,從2014年的0.085美元/GB降至2021年預(yù)期的0.001美元/GB。兩條線會(huì)走到一起嗎?

綠線顯示,SSD和HDD的每GB價(jià)格之間的百分比差距(右側(cè)軸)。略高于90%,這意味著2014年的差距為9倍,到2021年將達(dá)到85%左右。

這表明,SSD和HDD價(jià)格侵蝕曲線正在平行移動(dòng),而不是匯合到一起。

只要磁盤驅(qū)動(dòng)器制造商能夠保持容量足夠快地增長,那么他們就會(huì)比SSD更具容量成本優(yōu)勢(shì)。我們可以簡單地模擬這種持續(xù)的分離。

下面的圖表顯示,SSD和HDD價(jià)格每年降低30%,從1000美元的SSD和100美元的磁盤開始:

不同時(shí)間段的差距列是穩(wěn)定的。如果我們將縱軸改為對(duì)數(shù)刻度,那么這些穩(wěn)態(tài)平行侵蝕曲線就會(huì)變得更加明顯:

Infinidat的視角

為什么提到Infinidat?因?yàn)镮nfinidat不制造全閃存陣列。所有主要的磁盤驅(qū)動(dòng)器陣列供應(yīng)商都在轉(zhuǎn)向全閃存陣列(AFA),而Infinidat堅(jiān)持使用二級(jí)閃存緩存的磁盤陣列,并依靠主DRAM緩存來實(shí)現(xiàn)性能。Infinidat稱其DRAM緩存的讀命中率達(dá)到90%以上。

所以全閃存陣列人士會(huì)說,閃存性能勝過磁盤。但I(xiàn)nfinidat表示,DRAM緩存增強(qiáng)的磁盤性能會(huì)更好,并且比全閃存陣列便宜。

好的,如果它的DRAM緩存技術(shù)這么好,為什么全閃存陣列廠商不使用它的技術(shù)?

Infinidat的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)在大容量陣列例如1PB甚至更高的陣列中能夠體現(xiàn)出來,而這是全閃存陣列廠商通常會(huì)忽略的一點(diǎn)。Infinidat說它在這個(gè)領(lǐng)域具有持久的優(yōu)勢(shì)。這取決于戴爾EMC(VMAX)、IBM(DS8000)和日立Vantara(USP)的高端陣列還沒有開發(fā)他們自己的DRAM緩存技術(shù)。

如果Infinidat在銷售方面遇到任何阻礙的話,他們或許就會(huì)看看其他提升性能的手段,例如存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存和NVMe over Fabrics。這個(gè)領(lǐng)域會(huì)變得非常有趣!

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