DRAM和NANDFLASH存儲(chǔ)芯片自2016年以后經(jīng)歷了持續(xù)2年的漲價(jià)周期,成為半導(dǎo)體行業(yè)景氣周期最主要的驅(qū)動(dòng)力,未來(lái)存儲(chǔ)的周期景氣持續(xù)時(shí)間有多久?這成為影響半導(dǎo)體整體行業(yè)景氣度的關(guān)鍵變量。我們的判斷是:1)DRAM景氣周期將比NANDFLASH更長(zhǎng);2)NANDFLASH將于2018年見(jiàn)頂,而DRAM景氣高點(diǎn)將在2019年以后。
從需求端來(lái)看,本輪存儲(chǔ)升級(jí)最大的來(lái)源是云存儲(chǔ)、AI計(jì)算的爆發(fā)增長(zhǎng)帶來(lái)的DRAM和NANDFLASH在服務(wù)器中需求大幅增長(zhǎng),同時(shí)4G全面推廣以后,智能手機(jī)拍照分辨率持續(xù)提升,帶動(dòng)DRAM和NAND容量持續(xù)提升。根據(jù)IHS統(tǒng)計(jì),DRAM在2016-2018年保持20%以上的復(fù)合增速,而NANDFLASH在2016-2018年保持38%的復(fù)合增速。
我們認(rèn)為對(duì)于行業(yè)景氣度影響最大的因素是產(chǎn)能擴(kuò)張速度,2016和2017年,DRAM和NANDFLASH擴(kuò)產(chǎn)速度都較慢,供需缺口持續(xù)擴(kuò)大推升了DRAM和NANDFLASH價(jià)格。而我們判斷,在2018年,隨著三星、美光等廠商3DNAND的良率提升,NANDFLASH的產(chǎn)能將會(huì)有大幅改善,我們預(yù)計(jì)18-19年NANDFLASH行業(yè)產(chǎn)能增速在45%以上,供需不足的剪刀差將大幅縮小,價(jià)格將在2018-2019年持續(xù)承壓。
另外DRAM的產(chǎn)能擴(kuò)張會(huì)比NAND更為溫和,其中17、18年主要是以份額相對(duì)較小的美光和海力士擴(kuò)產(chǎn)為主,三星的產(chǎn)能將在18年下半年開(kāi)出,所以從節(jié)奏上來(lái)看,18年下半年產(chǎn)能增速會(huì)相對(duì)較快,考慮到今年開(kāi)始,國(guó)產(chǎn)手機(jī)大部分新機(jī)內(nèi)存完成從2GB到3GB、4GB到6GB的升級(jí),我們判斷供需矛盾緩解要到2019年以后。
從更長(zhǎng)的周期來(lái)看,未來(lái)AI服務(wù)器對(duì)于DRAM和NANDFLASH的需求量更大,而5G時(shí)代到來(lái)以后,手機(jī)更有望向10GB的DRAM和更大容量存儲(chǔ)升級(jí),2019年以后的需求仍然將保持快速增長(zhǎng),NANDFLASH和DRAM在景氣高點(diǎn)過(guò)去以后,我們判斷價(jià)格不會(huì)出現(xiàn)大幅下滑。
