作為中國(guó)三大儲(chǔ)存芯片巨頭之一，并致力于專注移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫來說，7月16日無疑是非常重要的一天，合肥長(zhǎng)鑫發(fā)布首個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，并計(jì)劃將于2018年年底推出工程樣品，這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑。
同時(shí)，就在合肥長(zhǎng)鑫即將進(jìn)入量產(chǎn)的關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)上，兆易創(chuàng)新原董事長(zhǎng)朱一明，宣布辭去兆易創(chuàng)新CEO，由原王寧國(guó)手上正式接任合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)及睿力CEO。此人事變動(dòng)似乎也宣告，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)及睿力從王寧國(guó)核心團(tuán)隊(duì)為主導(dǎo)的建廠草創(chuàng)期，進(jìn)入以設(shè)計(jì)研發(fā)量產(chǎn)為主導(dǎo)，邁入下一個(gè)階段。
如今看來關(guān)于LPDDR4芯片的研發(fā)正在按步就班地進(jìn)行中，還有一年的試生產(chǎn)期與計(jì)劃節(jié)點(diǎn)正好對(duì)得上。踏實(shí)的研發(fā)進(jìn)度，是比8Gb LPDDR4投片更值得高興的消息。
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國(guó)產(chǎn)DRAM跨出重要一步
國(guó)內(nèi)目前有三大存儲(chǔ)芯片基地，紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢為基地，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，預(yù)計(jì)明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存，選擇DRAM內(nèi)存芯片作為重點(diǎn)的有兩大陣營(yíng)，福建晉華集團(tuán)聯(lián)合臺(tái)聯(lián)電在晉江建設(shè)DRAM晶圓廠，此前與美光發(fā)生專利糾紛導(dǎo)致美光芯片被福州法院禁售的就是與聯(lián)電、晉江投資集團(tuán)有關(guān)。
另一個(gè)DRAM基地是合肥長(zhǎng)鑫，這個(gè)項(xiàng)目最初報(bào)道說是跟前日本爾必達(dá)董事長(zhǎng)成立的公司合作，不過后者現(xiàn)在幾乎淡出，合肥長(zhǎng)鑫現(xiàn)在的合作方是兆易創(chuàng)新，去年10月份兆易創(chuàng)新宣布斥資180億元進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)，與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股有限公司合作，目標(biāo)是研發(fā)19納米工藝的DRAM內(nèi)存，預(yù)計(jì)在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率（測(cè)試電性良好的芯片占整個(gè)晶圓的比例）不低于10%。
合肥長(zhǎng)鑫的DRAM項(xiàng)目投資超過72億美元（495億人民幣），項(xiàng)目建設(shè)三期工程，目前建設(shè)的是一期工程12英寸晶圓廠，建成后月產(chǎn)能為12.5萬片晶圓，安徽商報(bào)表示這個(gè)產(chǎn)能將占到全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)能的8%。
此外，合肥兆鑫CEO王寧國(guó)今年四月在出席合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”上表示，合肥長(zhǎng)鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成，設(shè)備也開始安裝。
根據(jù)計(jì)劃，合肥長(zhǎng)鑫將于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬片一個(gè)月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17納米技術(shù)的研發(fā)。
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行業(yè)高度壟斷 三星、海力士、美光獨(dú)占鰲頭
從市場(chǎng)情況來看，據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)，2018年第一季存儲(chǔ)器三大廠商三星、海力士、美光在DRAM產(chǎn)業(yè)的市占率分別為44.9%、27.9%、22.6%，合計(jì)共占95.4%的市場(chǎng)份額。
三星依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭，第一季營(yíng)收再度創(chuàng)下歷史新高達(dá)103.60億美元，較上季成長(zhǎng)2.9％。路透社的報(bào)道稱三星每出售一美元的DRAM芯片，就會(huì)獲得70美分的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)。
海力士第一季營(yíng)收達(dá)64.32億美元，較前季成長(zhǎng)2.2％。美光今年上半年持續(xù)扮演市場(chǎng)中的價(jià)格領(lǐng)導(dǎo)者，價(jià)格上漲幅度高于其他兩家韓廠，第一季價(jià)格上揚(yáng)幅度超過10％，帶動(dòng)營(yíng)收達(dá)52.13億美元，季增14.3％。
美光集團(tuán)仍舊維持第三，但今年上半年美光持續(xù)扮演市場(chǎng)中價(jià)格領(lǐng)導(dǎo)者角色，價(jià)格漲幅高于三星、海力士。一季度美光DRAM價(jià)格上漲幅度超過10％，帶動(dòng)營(yíng)收達(dá)52.13億美元，季增14.3％，市占率較前一季提升約2個(gè)百分點(diǎn)。
從產(chǎn)品技術(shù)上而言，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存極有可能會(huì)面臨著出生即落后的境遇。就在昨天，三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。內(nèi)存三巨頭在DDR5、GDDR6的技術(shù)積累已經(jīng)基本完成，產(chǎn)業(yè)布局也更為成熟。
相較而言，國(guó)產(chǎn)19納米和17納米級(jí)DRAM制程工藝還有一定差距，DRAM芯片在功耗、良率、速度、納米制程工藝小型化方面有待提高。三星稱，第二代10納米級(jí)工藝產(chǎn)能進(jìn)一步提升，達(dá)到30%；第二代8Gb DDR4芯片的產(chǎn)能比第一代提高30%，而且，第二代10納米級(jí)芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。
在可以預(yù)期的2-3年內(nèi)，由于制程與產(chǎn)能的雙重落后，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存在短期內(nèi)很難對(duì)國(guó)際DRAM市場(chǎng)格局造成影響。但從長(zhǎng)期來說，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的大規(guī)模投產(chǎn)一定會(huì)對(duì)市場(chǎng)格局造成沖擊。
從知識(shí)產(chǎn)權(quán)角度來看，未來國(guó)產(chǎn)內(nèi)存發(fā)展壯大，須自主創(chuàng)新，獲取產(chǎn)業(yè)專利權(quán)，這樣打入國(guó)際市場(chǎng)才有話語(yǔ)權(quán)，如果一味地靠獲取外資專利授權(quán)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)利益角度考慮，是不可取的。如LED、新能源等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，上游核心技術(shù)很大一部分都是花錢買技術(shù)。
結(jié)語(yǔ)：中國(guó)作為集成電路消費(fèi)和生產(chǎn)大國(guó)，國(guó)產(chǎn)DRAM芯片投產(chǎn)在一定時(shí)間內(nèi)可提高市占率，但短期還無法撼動(dòng)韓日巨頭市場(chǎng)地位，8Gb LPDDR4 DRAM芯片的推出可以有效擺脫對(duì)海外的依賴。同時(shí)，通過美光被調(diào)查事件，可以說明國(guó)家對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片非常重視。
