事件點評：
因為英特爾14納米x86 CPU短缺可能持續(xù)到明年第一季度，而造成某些特定客戶開始清除因之前擔(dān)心漲價而多建的庫存，加上美國提高關(guān)稅的不利影響，美光預(yù)期第四季度銷售環(huán)比衰退2-6%而低于市場預(yù)期。而我們認為比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，加上3D NAND轉(zhuǎn)到96層及DRAM轉(zhuǎn)到19納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加，我們預(yù)估明年內(nèi)存DRAM和閃存NAND將會有3-5%的供過于求，價格下行趨勢確立，而將造成2019年整體存儲器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5-9%及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比衰退14%。
我們的預(yù)估比DRAMeXchange對明年存儲器芯片產(chǎn)業(yè)5%的同比成長預(yù)估來的悲觀許多，但DRAMeXchange上周五也下修今年第四季度的DRAM合約價格預(yù)期，從1-3%價格環(huán)比下跌下修到5%的價格下跌。雖然存儲器價格下行趨勢確立，但我們預(yù)估此次下行趨勢應(yīng)不超過18個月，英特爾14納米x86 CPU短缺狀況應(yīng)會于明年中之前改善，10納米x86 CPU應(yīng)于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU,7納米挖礦機及智能手機，5G手機都將于明年出籠而對存儲器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。
因此我們預(yù)估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲器半導(dǎo)體公司會面對營業(yè)利潤率從近50%的高檔下滑，但卻不至于步入虧損，因此我們不預(yù)期主流存儲器會將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)入利基型NOR和SLC NAND閃存市場而造成其價格崩跌，NOR和SLC NAND閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏，華邦，兆易創(chuàng)新，武漢新芯將持續(xù)將產(chǎn)品轉(zhuǎn)為價格及獲利較好的高密度NOR和SLC NAND，而讓相關(guān)廠商同比獲利衰退幅度相對較小。但此下行趨勢對明年即將量產(chǎn)的中國主流存儲器芯片大廠長江存儲,合肥長鑫，福建晉華當然是雪上加霜。
供給過剩，價格下行趨勢確立：
因為英特爾14納米x86 CPU產(chǎn)能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，但加上3D NAND閃存轉(zhuǎn)到96層及DRAM內(nèi)存轉(zhuǎn)到19納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加，我們預(yù)估明年內(nèi)存DRAM(23-25%供給vs.20%需求)和閃存NAND(43-45%供給vs.40%需求)將會有3-5%的供過于求，價格下行趨勢確立，我們預(yù)期在未來12個月內(nèi)，DRAM內(nèi)存每位元現(xiàn)貨價格(bit price)同比將衰退超過20%，NAND閃存現(xiàn)貨價格同比將衰退超過40%，而將造成2019年整體存儲器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5-9%及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比衰退1-4%（但邏輯芯片將持續(xù)成長）。我們的預(yù)估是比存儲器產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)DRAMeXchange對明年存儲器芯片產(chǎn)業(yè)5%的同比成長預(yù)估（DRAM 7%同比成長，NAND同比零成長）來的悲觀許多，但DRAMeXchange上周五最新出爐的報告也因近期供過于求，而下修今年第四季度的DRAM合約價格預(yù)期，從1-3%價格環(huán)比下跌下修到5%的價格下跌。
季度存儲器價格表
這次下行趨勢有多糟？
雖然存儲器價格下行趨勢確立，但我們預(yù)估此次下行趨勢應(yīng)不超過18個月，英特爾14納米x86 CPU短缺狀況應(yīng)會于明年中之前改善，10納米x86 CPU應(yīng)于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU,7納米挖礦機及智慧手機，5G手機都將于明年出籠取代中低階機種及對存儲器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。因此我們預(yù)估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲器半導(dǎo)體公司會面對營業(yè)利潤率從近50%的高檔下滑，但卻不至于步入虧損。
季度營業(yè)利潤率和自由現(xiàn)金流量銷售比
對中國產(chǎn)業(yè)的影響？
雖然主流DRAM和3D NAND的下跌對NOR，SLC(Single-Level Cell,單層單元閃存)NAND都會造成不良的影響，但只要這次下行趨勢不超過18個月，主流存儲器芯片大廠不步入虧損，我們不預(yù)期主流存儲器會將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)入利基型NOR和SLC NAND閃存市場而造成其價格崩跌。目前我們維持之前的預(yù)估，NOR和SLC NAND閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏，華邦，兆易創(chuàng)新，武漢新芯將持續(xù)將產(chǎn)品從價格及獲利下行的中、低密度NOR轉(zhuǎn)為價格及獲利較好的高密度NOR和SLC NAND，而讓相關(guān)廠商同比獲利衰退幅度相對較小。但此下行趨勢對明年即將量產(chǎn)的中國主流存儲器芯片大廠長江存儲(3D NAND),合肥長鑫（Mobile DRAM），福建晉華(Niche DRAM)當然是雪上加霜。
中國存儲芯片量產(chǎn)計劃
