近日在深圳華僑城洲際大酒店舉行的中國閃存市場峰會（CFMS2018），吸引三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光等國際原廠，同時作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)的新晉者長江存儲CEO楊士寧也亮相峰會，并發(fā)表了《創(chuàng)新Xtacking™架構(gòu)釋放3D NAND潛能》主題演講，峰會當(dāng)天吸引了1500多名參會觀眾，盛況空前。
長江存儲CEO楊士寧
長江存儲希望對產(chǎn)業(yè)也有所貢獻(xiàn)，而不是“攪局者”
在臺上，長江存儲CEO楊士寧先生表示，我們不是在做山寨產(chǎn)品，我們整個團隊都是非常勤勤懇懇、老老實實的在做實驗，實驗的次數(shù)基本上是在500—1000次，比如每天出的透射顯微鏡照片，在英特爾工作時一個月做一次已經(jīng)相當(dāng)不錯了，現(xiàn)在我們每天要出大概100多個，非常認(rèn)真、努力、老實的在做我們的工作，而且第一代技術(shù)也是跟美國的合作伙伴聯(lián)合研發(fā)。我們也希望能創(chuàng)新，能為這個產(chǎn)業(yè)做我們的貢獻(xiàn)，所以我們就發(fā)布了Xtacking™技術(shù)，而且產(chǎn)品出來以后上了量是要賺錢的，并不是來砸場子的。
長江存儲Xtacking™架構(gòu)將用在64層3D NAND上
長江存儲CEO楊士寧先生表示，我們當(dāng)下要存的數(shù)據(jù)越來越多，要求分析的速度也越來越快，現(xiàn)在64層NAND相當(dāng)于2D工藝的7納米，摩爾定律往前推進(jìn)的速度已經(jīng)走的比邏輯快了，3D閃存架構(gòu)雖然非常有競爭力，但是也存在著一些缺陷，比如周邊電路受影響太大，速度提升不上去；存儲密度提高了，但周邊電路占了很大的面積；從研發(fā)到市場應(yīng)用周期時間長，缺乏競爭力。
楊士寧先生介紹到，長江存儲有了創(chuàng)新的Xtacking™架構(gòu)，周邊的控制電路基本上可以隨意選擇任何的邏輯電路的先進(jìn)工藝，這樣周邊電路的速度可以沒有特別大的限制往上提高。雖然比較晚進(jìn)入這個行業(yè)，但是在64層這個工藝節(jié)點，采用Xtacking™架構(gòu)跟傳統(tǒng)架構(gòu)的96層相比，容量并未低太多，大概15%左右。相信只要速度夠快，再加上研發(fā)周期減短3個月，提高產(chǎn)量，可能不會賠太多錢。
長江存儲成立才2年，但武漢新芯2006年就成立了。在過去十年中，武漢新芯主要是在NAND Flash上投入了很多研發(fā)和生產(chǎn)精力，3D NAND的研發(fā)也是建立在這個基礎(chǔ)之上，并于2015年和美國合作伙伴簽訂了聯(lián)合研發(fā)協(xié)議研發(fā)3D NAND芯片。
長江存儲經(jīng)歷了2個測試芯片階段，3D技術(shù)從9層開始到32層，再到剛剛成功的64層試片，體現(xiàn)了長江存儲是在認(rèn)真的投入3D技術(shù)的研發(fā)。另外，長江存儲工廠--武漢存儲基地，原本計劃的是一個10萬片產(chǎn)能的平面一層工廠，但實際可以做到15萬，2019年這個廠也將真正進(jìn)入量產(chǎn)，正在積極趕上國際水平。
另外，長江存儲32層的產(chǎn)品已經(jīng)相當(dāng)成熟了，但是并沒有急于大規(guī)模的生產(chǎn)，因為在3年前這個產(chǎn)品有競爭力，但3年后也就是現(xiàn)在已經(jīng)沒有競爭優(yōu)勢了?，F(xiàn)在長江存儲注重下一代產(chǎn)品，64層堆疊再加上Xtacking™架構(gòu)，會快速投入量產(chǎn)，同時也希望給財務(wù)狀況帶來正面積極的效益。
YMTC長江存儲榮獲“最佳技術(shù)創(chuàng)新獎”
最后，長江存儲作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)的新晉者和國內(nèi)存儲芯片龍頭企業(yè)，發(fā)布了創(chuàng)新的Xtacking™技術(shù)。同時，長江存儲加強與行業(yè)客戶合作，Xtacking™技術(shù)將應(yīng)用于智能手機、個人計算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域，開啟高性能、定制化NAND Flash解決方案的全新篇章，CFMS授予長江存儲最佳技術(shù)創(chuàng)新獎。
