存儲芯片市場被巨頭壟斷 國內(nèi)企業(yè)正在迅速崛起

新思界
存儲芯片是利用電能存儲信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備,是一種嵌入式系統(tǒng)芯片,可以提供高質(zhì)量的數(shù)據(jù)訪問及存儲服務(wù),主要應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)硬盤等領(lǐng)域。隨著信息產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)逐步崛起,全球數(shù)據(jù)產(chǎn)生量及訪問量迅速增加,帶動存儲芯片市場需求快速增長。

存儲芯片是利用電能存儲信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備,是一種嵌入式系統(tǒng)芯片,可以提供高質(zhì)量的數(shù)據(jù)訪問及存儲服務(wù),主要應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)硬盤等領(lǐng)域。隨著信息產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)逐步崛起,全球數(shù)據(jù)產(chǎn)生量及訪問量迅速增加,帶動存儲芯片市場需求快速增長。

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2019年中國存儲芯片行業(yè)經(jīng)營數(shù)據(jù)監(jiān)測及發(fā)展前景展望分析報告》顯示,2017-2018年,全球存儲芯片價格大幅上升,帶動市場銷售額呈現(xiàn)高速增長態(tài)勢。2017年,全球存儲芯片銷售額同比增速達(dá)到50%以上;2018年全球存儲芯片銷售額為1580億美元,同比增長27%。隨著供過于求、需求疲軟以及價格下跌等因素的影響,預(yù)計2019年全球存儲芯片市場將呈下降趨勢,全年銷售額將在1356億美元左右。

2018年,全球集成電路市場中,存儲芯片市場份額占比達(dá)到40%,是占比最大的細(xì)分品類。存儲芯片種類繁多,主要包括括DRAM、SRAM、EEPROM、Flash、PROM、EPROM等。在全球存儲芯片市場中,韓國、日本企業(yè)處于壟斷地位。以DRAM市場為例,全球DRAM市場主要被三星、SK海力士、美光三大巨頭所壟斷,合計市場份額占比達(dá)到90%以上,其中,三星、SK海力士均為韓國企業(yè),合計市場份額占比達(dá)到75%左右。由此可見,全球存儲芯片市場集中度高。

存儲芯片是數(shù)據(jù)的載體,關(guān)乎數(shù)據(jù)安全性,在信息時代背景下,其發(fā)展至關(guān)重要。我國政府對存儲芯片產(chǎn)業(yè)的重視程度日益提升,國內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)諸如長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等存儲芯片生產(chǎn)企業(yè)。但我國存儲芯片行業(yè)起步晚,在資金、技術(shù)、經(jīng)驗、人才等方面較為缺乏,整體實力與國際巨頭相比存在較大差距。

2018年,國際巨頭三星宣布開始量產(chǎn)96層堆疊的第五代V-NAND 3D閃存芯片。國內(nèi)存儲芯片行業(yè)中,長江存儲主要生產(chǎn)3D NAND閃存,已經(jīng)開始小規(guī)模量產(chǎn)32層3D NAND閃存,而64層3D NAND閃存到2019年底才進入量產(chǎn)階段,產(chǎn)能到2020年才能夠大幅提高。整體來看,我國存儲芯片行業(yè)正在快速發(fā)展,但與國際巨頭相抗衡還需要一段時間。

新思界行業(yè)分析人士表示,全球存儲芯片市場處于高度壟斷格局,國際巨頭競爭優(yōu)勢凸顯,具有定價權(quán)。我國存儲芯片行業(yè)正在快速發(fā)展,已經(jīng)崛起三家具有一定競爭力的企業(yè),正在加緊突破技術(shù)瓶頸,計劃在2018-2020年間進入投產(chǎn)期。一旦國產(chǎn)存儲芯片進入規(guī)?;a(chǎn)階段,憑借性價比優(yōu)勢將對國際巨頭產(chǎn)生威脅,國際巨頭將會采取手段遏制國內(nèi)企業(yè)發(fā)展。同時,國內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的存儲芯片在性能、可靠性、使用壽命等方面仍待驗證。總的來看,我國存儲芯片行業(yè)前景廣闊,但短期內(nèi)仍要承受較大發(fā)展壓力。

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