用于超冷計算的新型內(nèi)存存儲技術(shù)

LabBang
實驗室的科學(xué)家已經(jīng)實驗證明這種基于約瑟夫森結(jié)耦合陣列的新型低溫或低溫存儲單元電路設(shè)計,該技術(shù)可以比現(xiàn)有存儲器器件更快和更節(jié)能。如果成功擴展,這種類型的低溫存儲陣列可以推進(jìn)包括量子計算和百萬兆級的計算在內(nèi)的各種應(yīng)用。

來源:美國能源部橡樹嶺國家實驗室

美國能源部橡樹嶺國家實驗室(ORNL)開發(fā)了在超導(dǎo)技術(shù)公司SeeQC的小芯片上制作低溫存儲單元電路的新型技術(shù),并成功地演示了讀、寫和復(fù)位存儲功能。

實驗室的科學(xué)家已經(jīng)實驗證明這種基于約瑟夫森結(jié)耦合陣列的新型低溫或低溫存儲單元電路設(shè)計,該技術(shù)可以比現(xiàn)有存儲器器件更快和更節(jié)能。如果成功擴展,這種類型的低溫存儲陣列可以推進(jìn)包括量子計算和百萬兆級的計算在內(nèi)的各種應(yīng)用。

“在我們的設(shè)計中,我們嘗試了一種完全不同的路徑,它采用了約瑟夫森結(jié)的感應(yīng)耦合陣列,”橡樹嶺國家實驗室計算科學(xué)和工程部門的Yehuda Braiman說,如果縮放,那么這樣的存儲單元陣列在消耗非常小功率的情況下可以比現(xiàn)有存儲器更快幾個數(shù)量級。

這些電池被設(shè)計成在超低溫下工作,在絕對零度以上4開爾文的溫度下進(jìn)行測試,溫度約為零下452華氏度。在這種寒冷的條件下,原子變慢,某些材料對電流失去阻力,成為超導(dǎo)體。因為超導(dǎo)體對電流沒有阻力,所以它們損失的能量幾乎可以忽略不計。

盡管基于這些低溫技術(shù)原理建造更快、更節(jié)能的計算機的承諾吸引了研究人員數(shù)十年,但建立可靠的低溫“存儲器”長期以來一直是一個障礙,而低溫“存儲器”是計算機中為基本計算功能存儲信息的部件。

創(chuàng)新的設(shè)計

橡樹嶺國家實驗室開發(fā)的設(shè)計偏離了現(xiàn)有的低溫存儲技術(shù),因為它的存儲單元是一個三個電感耦合的約瑟夫森結(jié),它的電路的局部部分包含一個零或一個二進(jìn)制數(shù)字,被稱為一個“比特”信息。

約瑟夫森結(jié)是一種成熟的低溫電子器件,可以利用磁通量來存儲數(shù)據(jù)。橡樹嶺國家實驗室設(shè)計使用了少量的這些連接,與最近研究的一些低溫存儲單元相比,它可以提供優(yōu)勢。其中許多技術(shù)依賴于一種稱為單通量量子(SFQ)的數(shù)字邏輯。另一些是基于磁約瑟夫森結(jié),這仍然對低溫存儲器的應(yīng)用提出了一些制造挑戰(zhàn)。

“人們正在尋找不同的東西,”Braiman說,“我們使用的是典型的接頭,不需要任何特殊的制造設(shè)計。這是一個本質(zhì)上不同的原理,它本身就可以使單元工作。”

獨特的是,他們的三值設(shè)計允許所有基本的存儲器操作讀、寫和復(fù)位在同一個三約瑟夫森結(jié)單元上實現(xiàn)。這種能力可以幫助增加穩(wěn)定性,同時節(jié)省空間和能量,因為電池電路被縮放成較大的陣列,這一步驟對現(xiàn)有技術(shù)造成了問題。

“所有這些(現(xiàn)有的)低溫電路的基礎(chǔ)都是根本不穩(wěn)定的,”Nokth-Naar說,他是實驗室的博士后研究者。“當(dāng)你縮放這些電路時,這些系統(tǒng)中存在的不穩(wěn)定性可能達(dá)到臨界點。”

設(shè)計確認(rèn)

為了證實他們新設(shè)計的可行性,橡樹嶺國家實驗室團隊與SeeQC(一家超導(dǎo)技術(shù)公司)聯(lián)合測試了電池電路。SeeQC的科學(xué)家們將橡樹嶺國家實驗室設(shè)計制作成直徑約為5毫米×5毫米的芯片,芯片的每個角落都有電路。

這些芯片被安裝在一個稱為低溫探針的長桿上,在室溫下通過電線與臺式計算機相連。科學(xué)家將芯片浸入一個專門的裝有液氦的容器中,將電路冷卻到4開爾文的溫度。根據(jù)橡樹嶺國家實驗室指導(dǎo)的測試程序,他們隨后從室溫計算機發(fā)送電脈沖來測試電池的記憶功能。

對四種規(guī)格稍有不同的單元電路設(shè)計的測試表明,這些單元不僅工作正常,而且功能強大,運行的實驗參數(shù)范圍比小組最初設(shè)想的要廣。

三年前,包括Braiman、Nair和Neena Imam在內(nèi)的橡樹嶺國家實驗室團隊在《Superconductor Science and Technology》和《Physical Review E》上發(fā)表的論文中對低溫存儲單元的設(shè)計邏輯進(jìn)行了初步分析和模擬。

盡管研究人員很高興能證實他們的預(yù)測,但他們謹(jǐn)慎地表示,他們的初步結(jié)果將帶來突破。已經(jīng)證明的是在單個單元水平上,而人們真正關(guān)心的是非常大的存儲單元陣列。

下一步,橡樹嶺國家實驗室團隊將致力于在越來越大的陣列中實現(xiàn)他們的電池,并使用實驗室最近購買的低溫測試設(shè)備進(jìn)行測試設(shè)計。新的實驗室設(shè)置將使未來的低溫技術(shù)現(xiàn)場研究成為可能。

THEEND

最新評論(評論僅代表用戶觀點)

更多
暫無評論