如果您一直關注有關內(nèi)存技術的新聞，則可能聽說過幾種可使RAM和SSD 更快，更密集和更節(jié)能的技術。那里還有大量研究集中在尋找一種進行“ 內(nèi)存內(nèi)計算 ”的方法，這是從根本上消除了數(shù)據(jù)在處理器，內(nèi)存和設備的非易失性存儲之間往返的帶來的瓶頸。
而所有這些都源于以下事實：將數(shù)據(jù)寫入DRAM既快速又節(jié)能，但是一旦斷電，數(shù)據(jù)的完整性也會隨之下降。然后，您必須不斷刷新該數(shù)據(jù)，那就造成效率不是很高。另一方面，NAND是一種相對可靠的數(shù)據(jù)存儲方式，但是寫入和擦除操作速度很慢，會使單元性能下降，使其無法用作工作內(nèi)存。
英國蘭開斯特大學的研究人員說，他們已經(jīng)建立了一種新型的非易失性存儲器，它以DRAM的速度工作，而據(jù)報道在寫入數(shù)據(jù)時僅消耗后者所需能量的百分之一。
這種技術被稱為UK III-V Memory，它基于20nm光刻工藝構建。研究人員解釋說，它提供了5ns的寫入時間（與DRAM相當）和類似閃存的讀取簡單性。但最有趣的功能實際上是非易失性，即在斷電時保持數(shù)據(jù)完整的能力。
UK III-V原型晶體管
據(jù)說他們打造的這個芯片原型能夠使用2.1 V的電壓擦除和編程數(shù)據(jù)，而典型的NAND單元則使用3 V的電壓擦除。實現(xiàn)這一目標的方法是通過“雙阱共振隧道結， ”（dual well resonant tunnelling junction），這是通過使用交替的GaSb（銻化鎵）和InAs（砷化銦）層實現(xiàn)的。
與閃存的工作原理類似，新的存儲單元使用“浮柵”存儲“ 1”或“ 0”，但此處InAs浮柵被GaSb和AlSb的大導帶不連續(xù)性所隔離。簡單來說，UK III-V存儲器中使用的晶體管具有更好的導通和截止狀態(tài)，它們被設計為利用兩種材料來確保將信息存儲“異常長”的時間。
但他們并沒有披露讀取操作的功耗的詳細信息，不過該項目首席研究員Manus Hayne表示，只要讀取新的“ 1”，新內(nèi)存就不需要重建數(shù)據(jù)，也不需要不斷刷新以確保數(shù)據(jù)完整性。因此，即使讀取確實需要更多功能，也需要進行權衡。
UK III-V內(nèi)存可以使設備在斷電的情況下保留數(shù)據(jù)，并幾乎立即打開電源并返回到上次停止的位置。海恩（Hayne）認為，它可以取代價值1000億美元的DRAM和閃存市場，并且正在申請專利。
同時，Hynix計劃基于HBM2E技術制造世界上最快的DRAM，該技術可以每秒460 GB以上的速度傳輸數(shù)據(jù)。英特爾已經(jīng)將Optane DC持久內(nèi)存DIMM交付給企業(yè)客戶已有數(shù)月之久，為他們提供了一種彌合DRAM和NAND之間的差距的方法，以應對需要兩全其美的某些工作負載。
