國產存儲芯片艱難突圍 2025年產能可占全球12%

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也就是說5年后,國產的內存及閃存才能在全球市場上拿下10%以上的份額,相比現(xiàn)在會有質的提升,但是總體來看國產閃存、內存依然是少數(shù)派,對市場的影響恐怕還會遠遠落在三星、美光、東芝等公司之后。

2019年國產的內存及閃存都取得了重要進展,長江存儲量產了64層堆棧3D閃存,合肥長鑫量產了DDR4內存。

此外,紫光也會在2021年進軍內存市場,這是國內最重要的三支存儲芯片力量。

不過就算開始量產,國產存儲芯片的產能爬坡依然是個長期而且艱巨的任務,至少需要數(shù)年時間才能對全球市場產生影響。

國金證券指出,合肥長鑫、長江存儲等國內大廠量產初期,良率不佳,再受到新型冠狀病毒影響設備驗收及裝機,預期長江存儲美國/日本/歐洲的半導體設備移入將延遲數(shù)月。

此外,國內公司設計及制程工藝技術與國際大廠仍有幾個世代的差距,比如長江存儲的 64層 NAND vs. 三星/海力士/Kioxia/ 鎂光的 96/112/128層 NAND,合肥長鑫的 1x DRAM vs. 三星/海力士/ 鎂光的 1z DRAM,而造成其品質,規(guī)格種類,數(shù)量,成本及其價格均不具市場競爭力。

基于此,國金證券目前預估其全球存儲器DRAM+NAND半導體市場份額在 2022年應該不會超過 5%,2025年預計可達12%。

也就是說5年后,國產的內存及閃存才能在全球市場上拿下10%以上的份額,相比現(xiàn)在會有質的提升,但是總體來看國產閃存、內存依然是少數(shù)派,對市場的影響恐怕還會遠遠落在三星、美光、東芝等公司之后。

 

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