轉(zhuǎn)向8英寸,寬禁帶半導(dǎo)體成本要降?

寬禁帶半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的熱門(mén)領(lǐng)域?,F(xiàn)階段,寬禁帶半導(dǎo)體制造仍以6英寸為主。6英寸寬禁帶半導(dǎo)體制造產(chǎn)線(xiàn)成本相對(duì)較低,當(dāng)前行業(yè)內(nèi)多以IDM方式布局,代表企業(yè)有科銳、意法半導(dǎo)體、英飛凌、羅姆等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際大企業(yè)。

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本文來(lái)自微信公眾號(hào)“中國(guó)電子報(bào)”,作者/姬曉婷。

近日,多家半導(dǎo)體頭部企業(yè)加速布局8英寸寬禁帶半導(dǎo)體制造。5月9日,有消息稱(chēng),聯(lián)電加速布局8英寸晶圓寬禁帶半導(dǎo)體制造,近期正大舉購(gòu)置新機(jī)臺(tái)擴(kuò)產(chǎn),預(yù)計(jì)下半年進(jìn)駐廠區(qū)。5月9日,半導(dǎo)體材料企業(yè)Soitec半導(dǎo)體公司發(fā)布了首款8英寸碳化硅SmartSiC晶圓。4月25日,科銳旗下功率與射頻部門(mén)Wolfspeed正式啟用全球最大8英寸碳化硅晶圓廠。寬禁帶半導(dǎo)體晶圓尺寸由6英寸向8英寸升級(jí)成為行業(yè)趨勢(shì)。分析師稱(chēng),這將有利于寬禁帶半導(dǎo)體降低成本。

寬禁帶半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的熱門(mén)領(lǐng)域?,F(xiàn)階段,寬禁帶半導(dǎo)體制造仍以6英寸為主。6英寸寬禁帶半導(dǎo)體制造產(chǎn)線(xiàn)成本相對(duì)較低,當(dāng)前行業(yè)內(nèi)多以IDM方式布局,代表企業(yè)有科銳、意法半導(dǎo)體、英飛凌、羅姆等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際大企業(yè)。

而近期對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體從6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型表現(xiàn)出關(guān)注的企業(yè),既包括以意法半導(dǎo)體為代表的國(guó)際老牌功率半導(dǎo)體IDM企業(yè),又包括以英諾賽科為代表的專(zhuān)精于寬禁帶半導(dǎo)體的國(guó)內(nèi)新興勢(shì)力,還有以聯(lián)電為代表的國(guó)際晶圓制造龍頭企業(yè)。整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體晶圓向8英寸轉(zhuǎn)型的關(guān)注,將極大地加快產(chǎn)業(yè)升級(jí)進(jìn)程。若產(chǎn)業(yè)鏈成功完成由6英寸向8英寸的升級(jí),則寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能將大大提升。

業(yè)內(nèi)分析師表示,近期產(chǎn)業(yè)鏈在寬禁帶晶圓片向8英寸轉(zhuǎn)型做出的一系列舉動(dòng),將給寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)兩方面影響。

一方面,晶圓代工廠入局將推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)格局變遷。

賽迪顧問(wèn)集成電路產(chǎn)業(yè)研究中心總經(jīng)理滕冉在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪(fǎng)時(shí)表示,寬禁帶半導(dǎo)體仍以IDM模式為主,科銳、意法半導(dǎo)體、英飛凌等為主要參與企業(yè)?,F(xiàn)階段,寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的代工企業(yè)較少。以硅基氮化鎵為例,全球前5大晶圓代工廠中僅有臺(tái)積電在該領(lǐng)域布局。近期聯(lián)電加碼,意味著寬禁帶半導(dǎo)體也逐漸成為晶圓代工企業(yè)拓展布局的焦點(diǎn)。

另一方面,8英寸晶圓制造規(guī)模擴(kuò)大,將有利于助推寬禁帶半導(dǎo)體晶圓成本降低。

氮化鎵與碳化硅是當(dāng)前行業(yè)內(nèi)應(yīng)用最廣的兩種寬禁帶半導(dǎo)體材料。其中,氮化鎵以其高頻率材料特點(diǎn)主要應(yīng)用于消費(fèi)電子快充產(chǎn)品,以及5G基站、新能源充電樁等對(duì)材料頻率有較高需求的產(chǎn)品。碳化硅以其高功率材料特點(diǎn)成為新能源汽車(chē)、軌道交通、光伏等應(yīng)用領(lǐng)域替代硅材料的關(guān)鍵材料。不論是氮化鎵、碳化硅,還是砷化鎵等其他寬禁帶半導(dǎo)體材料,其材料性能均獲得了業(yè)內(nèi)認(rèn)可。高材料價(jià)格是阻礙該材料行業(yè)應(yīng)用的重要原因。

近日,代工企業(yè)與IDM企業(yè)加碼8英寸制造,都將進(jìn)一步擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體制造規(guī)模。“晶圓制造規(guī)模提升,將會(huì)提高上游晶片、原材料、設(shè)備的需求量,從而實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)的成本降低。”創(chuàng)道投資咨詢(xún)總經(jīng)理步日欣在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪(fǎng)時(shí)表示,“聯(lián)電擴(kuò)產(chǎn)8英寸寬禁帶半導(dǎo)體制造,意味著寬禁帶半導(dǎo)體正在向著大規(guī)模、低成本方向演進(jìn)。”

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