突破技術(shù)壁壘!中國科學(xué)家自主研發(fā)→

新華社
金屬鹵化物鈣鈦礦是一類光電性質(zhì)優(yōu)異、可溶液制備的新型半導(dǎo)體材料,在太陽能電池、發(fā)光二極管、輻射探測(cè)器等器件制造上展現(xiàn)出應(yīng)用前景。然而,這些器件目前主要采用鈣鈦礦多晶薄膜為光活性材料,其固有缺陷會(huì)顯著降低器件性能和使用壽命。

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據(jù)華東理工大學(xué)消息,該校清潔能源材料與器件團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)了一種鈣鈦礦單晶晶片通用生長技術(shù),將晶體生長周期由7天縮短至1.5天,實(shí)現(xiàn)了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體的低溫、快速、可控制備,為新一代高性能光電子器件提供了豐富材料庫。相關(guān)成果發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然·通訊》。

金屬鹵化物鈣鈦礦是一類光電性質(zhì)優(yōu)異、可溶液制備的新型半導(dǎo)體材料,在太陽能電池、發(fā)光二極管、輻射探測(cè)器等器件制造上展現(xiàn)出應(yīng)用前景。然而,這些器件目前主要采用鈣鈦礦多晶薄膜為光活性材料,其固有缺陷會(huì)顯著降低器件性能和使用壽命。若采用缺陷密度僅為多晶薄膜十萬分之一,且兼具優(yōu)異輸運(yùn)能力及穩(wěn)定性的鈣鈦礦單晶晶片,就能制造更高性能的光電子器件??茖W(xué)家將多晶薄膜與單晶晶片分別比作“碎鉆”和“完美鉆石”,以顯示兩者的優(yōu)劣。

長期以來,國際上未有鈣鈦礦單晶晶片的通用制備方法,傳統(tǒng)方法僅能以滿足高溫環(huán)境、生長速率慢的方式制備幾種毫米級(jí)單晶,極大限制了單晶晶片的實(shí)際應(yīng)用。對(duì)于鈣鈦礦單晶晶片生長所涉及的成核、溶解、傳質(zhì)、反應(yīng)等多個(gè)過程,華東理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)結(jié)合多重實(shí)驗(yàn)論證和理論模擬,揭示了傳質(zhì)過程是決定晶體生長速率的關(guān)鍵因素,由此研發(fā)了以二甲氧基乙醇為代表的生長體系,通過多配位基團(tuán)精細(xì)調(diào)控膠束的動(dòng)力學(xué)過程,使溶質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)提高了3倍。在高溶質(zhì)通量系統(tǒng)中,研究人員實(shí)現(xiàn)了將晶體生長環(huán)境溫度降低60攝氏度,晶體生長速率提高4倍,生長周期由7天縮短至1.5天。

該成果主要完成人之一、華東理工大學(xué)教授侯宇舉例說,在70攝氏度下,甲胺鉛碘單晶晶片生長速度可達(dá)到8微米/分鐘,一個(gè)結(jié)晶周期內(nèi)晶片尺寸可達(dá)2厘米,較傳統(tǒng)方法下的4毫米大幅提升。“我們突破了傳統(tǒng)生長體系中溶質(zhì)擴(kuò)散不足的技術(shù)壁壘,提供了一條更普適、更高效、更低條件的單晶晶片生長路線。”

基于這一突破,團(tuán)隊(duì)組裝了高性能單晶晶片輻射探測(cè)器件,不僅可實(shí)現(xiàn)自供電輻射成像,避免了高工作電壓的限制,還大大降低了輻射強(qiáng)度,以胸透成像為例,新器件的輻射強(qiáng)度數(shù)值僅為常規(guī)醫(yī)療診斷的百分之一。

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