本文來自中國電子報，作者/姬曉婷、吳修齊。
近日，消息稱三星電子已向包括戴爾科技、慧與（HPE）在內的主要客戶通報了漲價計劃，準備在第三季度將其主要存儲半導體、服務器DRAM和企業(yè)級NAND閃存報價提高15%~20%，而三星第二季度已將其企業(yè)級NAND閃存漲價20%以上。
這已經(jīng)是三星今年以來的第三次調價。這次漲價，又是為何？
根據(jù)集邦咨詢統(tǒng)計的2024年第一季度全球DRAM企業(yè)營收數(shù)據(jù)，三星、SK海力士和美光分別以全球存儲市場44%、31%、22%的份額，位居前三位，三者共占據(jù)全球幾乎95%的市場份額。DRAM是存儲市場中出貨量最大的產(chǎn)品類型，從存儲器全品類來看，這三家企業(yè)與其他企業(yè)間的營收差額也十分懸殊。存儲市場具有鮮明的寡頭壟斷特征。在這樣的情況下，這三家企業(yè)的一舉一動將直接帶來整個存儲市場的震動，甚至可傳遞至與之相關的整個電子產(chǎn)業(yè)鏈。
2024年第一季度全球DRAM廠自有品牌內存營收排名（單位：百萬美元）
數(shù)據(jù)來源：集邦咨詢，《中國電子報》整理
三家存儲原廠曾減產(chǎn)抬價
長期以來，通過調控產(chǎn)能的方式調整市場價格是這三家企業(yè)的慣用手段。而這一方式，也在最近一次存儲產(chǎn)品價格波動中展現(xiàn)得淋漓盡致。
2020年下半年開始的芯片短缺，導致三星、SK海力士、美光三大存儲原廠大批量備貨，以至于在全球存儲需求增長見頂之后，三大存儲原廠均面臨極高的庫存水位。
在此背景下，全球三大存儲原廠存儲器價格從2021年第四季度開始連續(xù)8個季度下跌。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)，DRAM價格從2021年第四季度降價3%~8%開始，持續(xù)下探，至2022年第四季度達到最高單季度降幅，為20%~25%。
數(shù)據(jù)來源：集邦咨詢，《中國電子報》整理
受存儲價格下滑影響，三星、SK海力士、美光三家營收備受打擊。三星自2022年第二季度開始，營收持續(xù)5個季度下滑，至2023年第二季度，營收額相當于2022年第一季度的71.74%；營收利潤更是銳減，自2022年第一季度的117.24億美元，一路降至2023年第一季度的5.02億美元，同比降低95.72%。美光、海力士營收也在一年之內慘遭“腰斬”，甚至出現(xiàn)營業(yè)利潤虧損。美光營收自2022年第三季度開始連續(xù)3個季度下滑，至2023年第二季度已跌至36.93億美元，營收利潤更是從30億美元一路下滑到-23億美元。SK海力士營收自2022年第三季度的10.98萬億韓元（約合86.64億美元），一路下滑至2023第一季度的5.09萬億韓元（約合39.94億美元），營收利潤也從2022年第二季度的4.19萬億韓元（約合34.02億美元），下滑至2023年第一季度的-3.402萬億韓元（約合-26.69億美元）。
為盡快消化庫存、擺脫虧損境地，三大存儲廠商不約而同地開始減產(chǎn)。三星電子表示，2023年第四季度公司資本開支同比減少25.53%，降至14.0萬億韓元（約合107.19億美元）；SK海力士表示，2023年公司資本開支同比減少50%，降至9.5萬億韓元（約合72.73億美元）；美光在2022年11月首次宣布減產(chǎn)并逐步擴大減產(chǎn)幅度。《中國電子報》記者跟蹤發(fā)現(xiàn)，上述企業(yè)減產(chǎn)措施延續(xù)了整個2023年。
減產(chǎn)帶來的效果很直觀地反映到了企業(yè)庫存、存儲價格和營收中。美光首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)在2023年財報說明中表示，客戶庫存已逐漸恢復至正常水平。
2023年年底，三大存儲廠陸續(xù)傳出將調高2024年第一季度協(xié)約價的消息?！吨袊娮訄蟆酚浾卟稍L國內某代理商了解到，當時市場需求量并不旺盛，不足以支撐價格增長。當時的價格漲幅多是由三家存儲廠主動調價所致。
此次漲價來自HBM需求激增
近日，除三星外，另外兩家存儲大廠也頻頻傳出漲價消息。SK海力士在5月傳出消息稱，將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價，漲幅均在15%~20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%~100%不等，下半年漲幅將趨緩。美光在4月已向多數(shù)客戶提出調升第二季度產(chǎn)品報價，漲幅超過20%，但因中國臺灣地震，報價隨后暫停。
《中國電子報》記者采訪了解到，此次三星等存儲大廠調高產(chǎn)品報價的原因，與去年年底存儲產(chǎn)品漲價的原因有所不同。去年年末傳出的存儲產(chǎn)品漲價，一定程度上還是存儲芯片原廠主動減產(chǎn)、控價所致，市場需求還沒有達到推動存儲器全線漲價的程度。而此輪漲價，很大程度上是受市場需求帶動。
Gartner副總裁盛陵海在接受《中國電子報》記者采訪時表示，近期存儲漲價很大程度上是HBM需求激增、供不應求所致。半導體資深人士李國強也向記者表達了類似的觀點：“三星去年年底的漲價一定程度上有前期企業(yè)主動減產(chǎn)帶來的因素，而存儲企業(yè)調高產(chǎn)品價格是因為AI對硬件的需求正反映在HBM產(chǎn)品上。”
關于AI給存儲細分市場帶來的需求增長，盛陵海做了進一步的解讀。他認為，在NAND Flash方面，大模型對快速讀取有較高要求，帶動了SSD的需求。此外，HBM正面臨供不應求的市場現(xiàn)狀，廠商可能就此將DRAM的部分產(chǎn)能轉向HBM，但目前HBM產(chǎn)能提升空間主要受限于先進封裝的技術瓶頸，因此短期內產(chǎn)能短缺問題可能無法得到有效解決。
除HBM需求增長之外，手機、新能源汽車等大眾化存儲器的需求拉動也有一定的作用。李國強表示，一方面手機出貨量增加，手機對移動DRAM和NAND Flash容量的需求也在增加；另一方面，新能源汽車及自動駕駛功能亦增加了DRAM需求。
記者在采訪中了解到，當前在市場回暖的趨勢下，存儲廠商已經(jīng)開始逐漸恢復產(chǎn)能。當前存儲原廠的產(chǎn)能利用率近90%，相較于去年有超過10%的提升，但尚未達到最大值。
