本文來自微信公眾號“電子發(fā)燒友網”，【作者】梁浩斌。
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）數據中心在近年AI的浪潮中得到極大的發(fā)展，算力需求的膨脹帶動全球數據中心建設規(guī)模呈現爆發(fā)式增長。而在數據中心數量增長的同時，也面臨著能源問題。
如今大模型等AI應用對算力的需求，推動了AI芯片算力不斷提高，與此同時帶來的是越來越高的功耗。單顆算力芯片的功耗，從過去的300W左右提升至如今的1000W，大功率AI芯片給數據中心帶來了更高的電源要求。
所以在英偉達等廠商在積極提高AI芯片算力的同時，另一方面也需要在數據中心PSU（電源供應單元）方面進行升級，以應對越來越高的系統功耗。
數據中心能耗效率成優(yōu)化重點
根據不完全統計，目前全球范圍內，正在建設以及處于規(guī)劃階段的數據中心就已經有超過7000個，是2015年的2倍。如此大規(guī)模的數據中心，實際上已經占到全球電力總消耗的1%以上。
要如何提高數據中心的能源使用效率，降低能耗，首先要看數據中心的能耗結構。數據中心的能耗主要來自幾大部分，一是核心的計算部分，包括主板上的CPU、加速卡、存儲等各種器件；二是為機房提供恒溫恒濕的精密空調，以及機柜上的各種散熱風扇；三是供配電系統，包括機柜內的電源PSU、配電柜、不間斷電源UPS等。
當然，在AI加速卡上，芯片可以通過制程工藝以及架構的改進，提高能耗比，用相同的能耗做到更高的算力。而另一方面，數據中心的配電系統，包括PSU等，同樣是能耗浪費的重災區(qū)。
因為處理一個AI應用請求，能量需要經過四次轉換，可能導致約12%的能量損耗。這與數據中心電源的功率轉換效率較為相關，比如目前80Plus白金標準的服務器電源，在20%輕載和滿載下的額定輸出時的轉換效率達到89%以上，50%典型負載下達到92%。
不過面對功率更大的AI算力卡需求，PSU需要在盡可能小的體積內，提高功率輸出能力，同時提高轉換效率。
采用第三代半導體的服務器PSU方案
由于更高的功率密度、更高的轉換效率需求，使得碳化硅、氮化鎵等第三代半導體器件有充足的推動力進入數據中心電源領域。傳統硅基半導體由于自身物理性質受限，不適合在高溫、高壓、高頻、高功率等領域使用，于是砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體也因此應運而生。
以碳化硅為例，其耐高壓能力是硅的10倍、耐高溫能力是硅的2倍、高頻能力是硅的2倍。與硅基模塊相比，碳化硅二極管及開關管組成的模塊（全碳模塊），不僅具有碳化硅材料本征特性優(yōu)勢，在應用時還可以縮小模塊體積50%以上、消減電子轉換損耗80%以上。在系統設計中可以簡化散熱系統，降低熱預算，同時減小電容電感體積，從而降低系統綜合成本。
所以近年來，功率半導體廠商都陸續(xù)推出基于碳化硅或氮化鎵器件的一些數據中心PSU方案。
比如英飛凌此前公布的AI數據中心PSU產品路線圖，英飛凌在高功率的PSU中趨向使用混合開關的方案，即同時采用硅、SiC、GaN等功率開關管。
其中3kW的PSU方案中，英飛凌采用coolSiC MOSFET 650V和600V cool MOS超結MOS器件，以及CoolSiC的無橋圖騰柱PFC，集成CoolMOS和OptiMOS的半橋LLC，可以達到97.5%的峰值效率。
在3kW以上，從3.3kW到未來的12kW，英飛凌就使用硅、SiC、GaN開關的混合方案，采用CoolSiC、CoolGaN、CoolMOS、OptiMOS和實現最高效率和功率密度的技術，基準效率為97.5%，功率密度達到95W每英寸立方。
今年6月安森美推出了基于T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V器件的數據中心電源解決方案。EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的開關性能和更低的器件電容，可在數據中心和儲能系統中實現更高的效率。
與上一代產品相比，新一代碳化硅MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級結MOSFET相比，它們在關斷時沒有拖尾電流，在高溫下性能優(yōu)越，能顯著降低開關損耗。采用該方案，安森美宣稱數據中心能夠減少約1%的電力損耗。
納微半導體近期也推出了一款新的4.5kW AI數據中心電源參考設計，同樣是采用了氮化鎵和碳化硅器件，包括優(yōu)化的GaNSafe™和Gen-3“Fast”（G3F）SiC功率組件，利用SiC的交錯式連續(xù)導通模式（CCM）圖騰柱功率因數校正（PFC），并結合采用GaN的全橋LLC拓撲。
這種設計結合了不同器件的優(yōu)勢，在CCM TP-PFC中采用SiC，在300kHz LLC中采用GaN，能夠實現137W/in³的功率密度和超過97%的效率。
英諾賽科去年推出了一款2kW PSU服務器電源方案，符合80 Plus鈦金級，采用圖騰柱無橋PFC+LLC結構，前端為AC-DC無橋圖騰柱PFC，后端為DC-DC隔離全橋LLC轉換器。PFC慢橋臂采用2顆INN650TA030AH（650V/30mΩ），PFC快橋臂采用2顆INN650TA070AH（650V/70mΩ），LLC橋臂采用4顆INN650D080BS（650V/80mΩ）。
該電源方案峰值效率高達96.5%，最高功率密度達76W/in3。
小結
數據中心PSU已經成為各大功率半導體廠商的重點關注市場，而隨著AI數據中心需求，第三代半導體導入正在持續(xù)加速。
