手機存儲迎來新挑戰(zhàn) 3D NAND和UFS或是解決之道

CCTIME飛象網(wǎng)
佚名
4K、VR、AR、AI、5G……眾多新興技術(shù)的交織給智能手機帶來更多功能和更暢快體驗的同時也帶來了新的問題,那就是對手機的存儲需求大大提高。 “目前,手機廠商對于大存儲NAND的需求正在快速增長...

4K、VR、AR、AI、5G……眾多新興技術(shù)的交織給智能手機帶來更多功能和更暢快體驗的同時也帶來了新的問題,那就是對手機的存儲需求大大提高。

“目前,手機廠商對于大存儲NAND的需求正在快速增長,年增長率達到了42%。原因是,雙攝像頭需要更多的存儲承載手機的拍照像素。同時,4K視頻需要更多的存儲滿足需求。其他一些作業(yè)系統(tǒng)支持更多的功能,也需要更多的存儲,”Counterpoint資深分析師閆占孟近日在接受飛象網(wǎng)采訪時表示。

他指出,從整體趨勢來看,存儲向兩個方向發(fā)展:一個是從2D向3D NAND發(fā)展,3D NAND可以承載更多的容量存儲,3D NAND市場將于2028年占全球市場比例將近一半。“此外,關(guān)于存儲速度和讀取速度,明年中低手機市場會采用UFS功能,TLC也會拓展到一些終端市場。當然,目前來看,整個存儲產(chǎn)品庫存供應有限,Counterpoint判斷,明年下半年存儲供應會比較緊張。”

在這種緊張的情況下,有哪些方案可以解決呢?Counterpoint研究了兩個方向,第一是3D NAND可以保證更多的存儲,可以解決存儲供應的問題,尤其TLC的3DNAND可以解決存儲容量的問題。第二,更多的廠商會應用UFS快速讀取的芯片。在閆占孟看來,這兩個解決方案可以解決存儲供應緊張的問題。有數(shù)據(jù)顯示,截止到今年,NAND的存儲能力達到了51GB,預測到2018年第四季度會增長到60GB,增長速度可見迅猛。

同樣洞見此趨勢的還有西部數(shù)據(jù),在西部數(shù)據(jù)公司嵌入式和集成解決方案副總裁Christopher Bergey看來,數(shù)據(jù)量、數(shù)據(jù)的產(chǎn)生速度、多樣化和其帶來的價值都持續(xù)呈指數(shù)級增長和演變,包括大數(shù)據(jù)、快速數(shù)據(jù)和個人數(shù)據(jù)各個方面。全球眾多消費者都將在智能手機上體驗到這些數(shù)據(jù)的整合。“而西部數(shù)據(jù)創(chuàng)新的新型iNAND解決方案推動數(shù)據(jù)在高度密集的移動應用和體驗中繁榮。我們將西部數(shù)據(jù)業(yè)界領(lǐng)先的X3 3D NAND技術(shù)、與新款增強的獨特應用感知型SmartSLC技術(shù)相結(jié)合,為客戶提供了我們智能的高性能iNAND設(shè)備。這些iNAND系列的全新解決方案使得我們能夠繼續(xù)從容應對全球變化多端的移動市場中日益提高的移動數(shù)據(jù)需求。”

近日,西部數(shù)據(jù)宣布推出全新的iNAND®嵌入式閃存盤 (EFD) ,使智能手機用戶能夠充分發(fā)揮當前數(shù)據(jù)驅(qū)動型應用的潛力,提升使用體驗。借助西部數(shù)據(jù)的64層3D NAND技術(shù)和先進的UFS與e.MMC接口技術(shù),新型的智能iNAND8521和iNAND7550嵌入式閃存盤能夠提供卓越的數(shù)據(jù)性能和高容量存儲。

據(jù)Christopher Bergey介紹,當該產(chǎn)品用于智能手機和輕薄型計算設(shè)備中時,他們可以為以數(shù)據(jù)為中心的大量應用加速,包括增強現(xiàn)實(AR)、高分辨率視頻捕捉和豐富的社交媒體體驗,當然還有新興的終端人工智能 (AI) 和物聯(lián)網(wǎng) (IoT)體驗。

具體來講,iNAND 8521嵌入式閃存盤專為需要使用大量數(shù)據(jù)的用戶設(shè)計,采用UFS 2.1接口和西部數(shù)據(jù)新型第五代SmartSLC 技術(shù)。相比于公司面向旗艦智能手機的上一代iNAND移動解決方案iNAND 7232嵌入式閃存盤,這次的iNAND 8521提供了兩倍的順序?qū)懭胨俣?和高達10倍的隨機寫入速度2。通過快速并智能響應用戶的應用性能需求,它使用戶能夠快速玩轉(zhuǎn)虛擬現(xiàn)實游戲,并且快速下載高清電影。此外,當服務提供商向5G網(wǎng)絡演進時,iNAND 8521嵌入式閃存盤卓越的數(shù)據(jù)傳輸速度還將允許移動用戶利用更快的Wi-Fi和網(wǎng)絡增強功能。

而iNAND 7550嵌入式閃存盤幫助移動設(shè)備制造商打造存儲空間充足且具有高性價比的智能手機和計算設(shè)備,以滿足消費者不斷增長的存儲需求,同時提供快速且具吸引力的應用體驗。iNAND 7550嵌入式閃存盤基于e.MMC 5.1規(guī)范,是目前西部數(shù)據(jù)基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案,可提供高達260 MB/秒的順序?qū)懭胄阅芤约?0K IOPS和15K IOPS的隨機讀/寫性能3,更有助于同時加快自身和應用啟動的速度。

值得一提的是,iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式閃存盤以西部數(shù)據(jù)公司旗下的SanDisk品牌銷售。十余年來,該系列得到了全球主流智能手機和平板電腦制造商的信任。西部數(shù)據(jù)公司目前向OEM提供容量為256GB4的iNAND 8521和iNAND 7550閃存盤的樣品。

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