作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年將第一次參加行業(yè)權(quán)威的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)，并首次公開披露即將發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking。
北京時(shí)間8月8日清晨6點(diǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士將在圣克拉拉會(huì)議中心發(fā)表演講，主題為《創(chuàng)新架構(gòu)，釋放3D NAND閃存潛能》，介紹此項(xiàng)技術(shù)是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4的水準(zhǔn)，同時(shí)使存儲(chǔ)密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)是中國第一家進(jìn)軍高門檻NAND閃存的企業(yè)，官方宣稱Xtacking新架構(gòu)將為3D閃存帶來前所未有的高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的上市周期。
按照長(zhǎng)江存儲(chǔ)的說法，Xtacking技術(shù)可實(shí)現(xiàn)史無前例的超高傳輸速率，從而將UFS、消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)SSD的性能提升到全新的高度。
Xtacking技術(shù)還實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工，可大幅縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，并可定制產(chǎn)品。
