根據(jù)長(zhǎng)江儲(chǔ)存的官方消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking，該技術(shù)將有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。
根據(jù)官方的說(shuō)明，采用Xtacking技術(shù)，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)百萬(wàn)根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking?技術(shù)我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對(duì)NAND行業(yè)來(lái)講將是顛覆性的。”
據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功將Xtacking?技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。該產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
