存儲器是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。新型存儲器主要是在當前時代背景下對傳統(tǒng)存儲器的革新，一般情況下革新點主要是兩個方面，一是結構上由2D變?yōu)?D，二是采用新的存儲器件結構或材料。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2018-2022年中國新型存儲行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及投資機會分析報告》顯示，我國存儲器市場長期以來都對進口產(chǎn)品有較大的依賴性，新型存儲技術的出現(xiàn)給我國存儲器市場擺脫當前被動局面帶來較大的契機。近幾年，中國新型存儲行業(yè)相關技術也不斷實現(xiàn)突破性進展，但是目前本土企業(yè)中還沒有進入大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展階段，多數(shù)技術及產(chǎn)品還處于試驗階段。
現(xiàn)階段，中國存儲市場中，傳統(tǒng)存儲及閃存仍占據(jù)主要的存儲市場，醫(yī)療HIS系統(tǒng)、銀行交易和期權系統(tǒng)等核心業(yè)務中，傳統(tǒng)存儲系統(tǒng)一如既往的提供著無可替代的高可靠、高性能存儲服務。而新型存儲的關鍵核心技術仍被國外少數(shù)的存儲巨頭企業(yè)所把控。
半導體行業(yè)是國民經(jīng)濟發(fā)展支柱型產(chǎn)業(yè)，其中存儲器在整個半導體產(chǎn)業(yè)中又占據(jù)極為重要的地位?，F(xiàn)階段，存儲器的應用十分廣泛，市場規(guī)模龐大，被國家列為戰(zhàn)略性高技術產(chǎn)業(yè)。新思界產(chǎn)業(yè)研究員表示，在存儲器市場中，DRAM和NAND Flash兩種存儲芯片占據(jù)著主導地位，其總體市場份額達到90%以上。從當前全球的DRAM、NAND的市場格局來看，這兩類存儲器被三星、海力士、東芝、美光等國際巨頭壟斷，中國存儲芯片市場也長期被這些進口產(chǎn)品所主導，國內(nèi)本土企業(yè)在技術比較落后，在這種寡頭壟斷的市場格局之下，中國企業(yè)很難沖破市場禁錮提升國產(chǎn)存儲新品的市占率。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)分析師調(diào)研，近幾年，中國新型存儲行業(yè)發(fā)展盡管取得較大的進步，但是目前國內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)的仍是三星在中國西安投建的工廠，國內(nèi)本土企業(yè)還沒有真正實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，只有武漢新芯的48層3D NAND預計在2018年能夠?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。
近幾年，全球存儲芯片市場掀起了一場技術革命，由傳統(tǒng)芯片轉(zhuǎn)型新型芯片，這種產(chǎn)品升級換代的更迭時期，現(xiàn)有市場格局或?qū)⒚媾R重新洗牌，這為中國存儲芯片行業(yè)的發(fā)展帶來較大的機遇。現(xiàn)階段，中國存儲芯片市場中，武漢新芯2017年底取得48層3D NAND的驗證，2018年進行量產(chǎn)，這樣與三星之間的市場差距也就在3年左右；中芯在2014年9月宣布38nmNANDFlash記憶體工藝已就緒，雖不像武漢新芯在NANDFlash的成果和專注，此技術仍為后續(xù)開發(fā)更先進的2x/1xnm和3DNANDFlash記憶體的研發(fā)和量產(chǎn)奠定基礎。
新思界產(chǎn)業(yè)研究員表示，武漢新芯所取得的一系列成功為中國新型存儲行業(yè)的發(fā)展奠定了堅實的基礎。在這種市場轉(zhuǎn)型升級的階段，也正是我國存儲芯片行業(yè)實現(xiàn)突破和超越的最佳機遇。一旦武漢新芯等企業(yè)能夠?qū)崿F(xiàn)市場突破，將會改變長期以來我國存儲芯片市場被國外產(chǎn)品所壟斷的市場局面，同時也將開啟我國新型存儲行業(yè)發(fā)展的新篇章。預計到2022年，中國新型存儲行業(yè)市場規(guī)模將會突破20億元。
2018-2020年中國新型存儲行業(yè)市場規(guī)模預測
數(shù)據(jù)來源：新思界產(chǎn)業(yè)研究中心調(diào)研整理
新型存儲市場機遇來臨!武漢新芯或?qū)⒋蚱票煌馄髩艛喔窬?/div>