近日英特爾大連非易失性存儲二期項目舉行了投產啟動儀式，將采用96層3D NAND存儲芯片制造技術實現量產。
2006年7月，英特爾亞洲控股有限公司與大連市政府簽署了總發(fā)展協(xié)議，在大連出口加工區(qū)B區(qū)建設了占地面積60公頃的英特爾半導體(大連)有限公司，用于邏輯芯片的研發(fā)生產。
2015年10月，英特爾二期項目落戶大連，生產非易失性存儲器芯片。經過不到三年時間，二期項目順利實現了建成投產，創(chuàng)造了英特爾工廠建設歷史的新紀錄。
啟動儀式上，英特爾宣布新投產的非易失性存儲二期項目將采用世界最先進的96層3D NAND存儲芯片制造技術實現量產。
阿明觀察分析：據業(yè)內人士分析，英特爾大連工廠二期開始量產96層3D NAND存儲芯片已經早有定居，據說之前紫光旗下的長江存儲已經包了這部分英特爾大連工廠的產能，不知道這個消息是否屬實？
但是從紫光旗下長江存儲目前對外的新聞消息來看，沒有看到類似的內容，32層3D NAND在各種渠道出現的消息證明將在2019年量產。
但是，在看到英特爾大連工廠96層3D NAND存儲芯片的量產開工情況下，不知掉長江存儲的32層3D NAND存儲芯片如何在未來的市場中形成自己的吸引力？
——阿明／分析評論——
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