9月份的iPhone XS在創(chuàng)下歷史最高售價(jià)的同時(shí)，存儲(chǔ)配置也從去年的256GB封頂一躍跳到了512GB，很快，2018年接下來這最后一兩個(gè)月里即將要上場(chǎng)的新款手機(jī)們，這必定會(huì)產(chǎn)生一個(gè)風(fēng)向標(biāo)的作用：如果你再不跟上把手機(jī)的容量配置給提一提，那很快就要被考慮換機(jī)的用戶給嫌棄了。
同時(shí)，5G商用又迫在眉睫，且不說那些囊括范圍更加廣泛的邊緣計(jì)算、智能家居等設(shè)備加入進(jìn)來，光是我們手中的智能手機(jī)就會(huì)不可避免地迎來一波置換。
在多個(gè)風(fēng)口共同吹動(dòng)著我們掌中那幾寸大的屏幕繼續(xù)往前進(jìn)化的背景下，西部數(shù)據(jù)拿出了一套新的解決方案，并選擇在今天全球首發(fā)與各行業(yè)媒體分享這一成果。
借助此前在這一代BiCS4閃存技術(shù)上的積累，西部數(shù)據(jù)把自己的96層3D NAND顆粒產(chǎn)品化，做成了能用于智能手機(jī)、平板電腦以及筆記本的最終嵌入式閃存。這一代產(chǎn)品的命名方式產(chǎn)生了顯著變化，新品名叫iNAND MC EU321（原先的iNAND 7550和iNAND 8521也順應(yīng)這個(gè)方式改了名，型號(hào)變成了EM131和EU311）。
iNAND MC EU321的主要特征除采用西數(shù)自產(chǎn)的96層3D TLC NAND顆粒之外，它還使用UFS 2.1接口，而且具備西數(shù)自主設(shè)計(jì)的iNAND SmartSLC 5.1緩存架構(gòu)，容量范圍則在32GB到256GB有四個(gè)規(guī)格可選。聽西數(shù)在發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)的口風(fēng)，以高通和聯(lián)發(fā)科為代表的安卓生態(tài)圈似乎很樂見這款存儲(chǔ)產(chǎn)品進(jìn)入手機(jī)市場(chǎng)。
有上一代產(chǎn)品作為參照，iNAND MC EU321的性能指標(biāo)依舊在可觀的數(shù)值位置上穩(wěn)步提升，以256GB規(guī)格為例，其順序讀寫能力分別達(dá)到了800MB/s和550MB/s，隨機(jī)訪問性能也可維持在40K~50K IOPs水準(zhǔn)，在同類板載閃存盤產(chǎn)品里基本上可以算一騎絕塵。西部數(shù)據(jù)對(duì)此感到非常自豪，它表示自己產(chǎn)品的順序?qū)懭胨俣缺雀?jìng)品快出一倍以上。
由此也看得出來，iNAND MC EU321的厲害之處主要還是集中在iNAND SmartSLC 5.1緩存架構(gòu)上，西數(shù)通過在TLC和內(nèi)存數(shù)據(jù)操作之間設(shè)置一個(gè)SLC buffer層，通過SLC的緩沖達(dá)到非常高的爆發(fā)式訪問性能，數(shù)據(jù)緩存下來之后，通過西數(shù)在固件中寫好的算法機(jī)制，閃存會(huì)自動(dòng)對(duì)TLC的數(shù)據(jù)塊進(jìn)行整理，在減少碎片化的同時(shí)把SLC緩存里的數(shù)據(jù)寫入到TLC里。
由于手機(jī)應(yīng)用并無太多需要持續(xù)寫入數(shù)據(jù)的場(chǎng)合（那種時(shí)候網(wǎng)絡(luò)傳輸往往是更大的瓶頸），這種思路對(duì)于爆發(fā)式訪問的響應(yīng)性能和延遲都有好處，也就是說對(duì)手機(jī)的整體使用體驗(yàn)會(huì)有比較顯著的改善。
同時(shí)，因?yàn)橛羞@樣一個(gè)SLC緩存架構(gòu)存在，西部數(shù)據(jù)的NAND閃存盤更不容易出現(xiàn)那種固態(tài)存儲(chǔ)比較容易出現(xiàn)的滿寫性能急劇滑坡。按照他們的說法，友商的閃存往往在寫滿80%~90%的時(shí)候順序?qū)懭胄阅芫蜁?huì)發(fā)生斷崖式下降，甚至可能會(huì)比正常情況下下降超過一半多，而iNAND MC EU321則要到98%寫滿的時(shí)候才會(huì)出現(xiàn)大概20%的性能損耗。
隨著5G、AI以及4K HDR在移動(dòng)設(shè)備上的應(yīng)用鋪開，存儲(chǔ)子系統(tǒng)一些容易被忽略的性能角落也開始被發(fā)現(xiàn)和填補(bǔ)起來。手機(jī)廠商們更多的對(duì)特定的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行針對(duì)性優(yōu)化（例如微信的使用，以及王者榮耀等手機(jī)游戲幀率穩(wěn)定性），西部數(shù)據(jù)也在做同樣的事情，iNAND MC EU321就是針對(duì)手機(jī)AI、xR用例的定點(diǎn)止痛劑。
未來西數(shù)還會(huì)以96層3D NAND作為立足點(diǎn)，繼續(xù)擴(kuò)展EU321的衍生類型產(chǎn)品來覆蓋汽車/自動(dòng)駕駛、工業(yè)生產(chǎn)，以及智能家居領(lǐng)域的嵌入式閃存產(chǎn)品。不過眼下最重要的，當(dāng)然還是先把手機(jī)這塊市場(chǎng)給做好了。
