據(jù)IC Insights統(tǒng)計，今年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出總額將升至1,020億美元，首次超過1,000億美元大關(guān)。相比去年，今年的支出總額比2017年的933億美元增長9%，比2016年增長38%。
今年還有兩個月，預(yù)計將會有超過一半的行業(yè)資本支出用于存儲器生產(chǎn)，主要是DRAM和閃存，包括升級現(xiàn)有的晶圓制造生產(chǎn)線、更新制造設(shè)備等?？傮w而言，預(yù)計存儲產(chǎn)業(yè)將占今年半導(dǎo)體資本支出的53%。存儲器生產(chǎn)設(shè)備的資本支出份額在近六年內(nèi)大幅增加，從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的53%(540億美元)，相當(dāng)于2013到2018年總資本支出的30%。
上圖顯示的主要的產(chǎn)品類別中，預(yù)計DRAM和SRAM的支出增幅最大，而閃存占據(jù)今年資本支出的最大的份額。預(yù)計2018年DRAM/SRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出將實現(xiàn)41％的增長，而閃存的資本支出將在2017年增長91％后緩慢增長13％。
經(jīng)過兩年的資本支出劇增后，目前面臨的一個更緊迫的問題是：大量的資本支出會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和價格下降。閃存市場的歷史經(jīng)驗表明，過多的支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩，隨后會使價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/西部數(shù)據(jù)/SanDisk和XMC/長江存儲技術(shù)都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量。IC Insights認(rèn)為，未來3D NAND閃存市場需求過高的風(fēng)險正在不斷增長。
