近年來，中國投入巨資發(fā)展存儲(chǔ)芯片，產(chǎn)生了一批國內(nèi)芯片龍頭企業(yè)。
除了32層3D NAND于2018年底前投入量產(chǎn)之外，64層128G的NAND Flash有望在2019年量產(chǎn)。此外，國內(nèi)企業(yè)正在研發(fā)128層256G的NAND Flash。
國內(nèi)某企業(yè)的主攻方向就是和本次鎂光和聯(lián)電發(fā)生糾紛的DRAM，規(guī)劃是2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬片一個(gè)月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17nm的研發(fā)。據(jù)公開消息，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片也即將投產(chǎn)。
