存儲器，中國IC產(chǎn)業(yè)的短板。短短的一句話概述了目前中國大陸IC產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀。
嗅覺敏銳的人也許已經(jīng)感受到，從今年開始隨著AI、5G、自動駕駛的發(fā)展，萬物互聯(lián)時代悄然開啟，云計算、云存儲技術(shù)快速發(fā)展，大量的數(shù)據(jù)得以產(chǎn)生，這時數(shù)據(jù)的存放成為關(guān)鍵，因此存儲器被業(yè)內(nèi)看作"開啟新時代的基石"。
中囯半導體業(yè)發(fā)展由于其獨特的地位決定了它必須實現(xiàn)"自主可控"，盡管面臨的困難重重，也不可能阻擋突圍的決心!下面我將揭示目前國內(nèi)三大國產(chǎn)存儲廠商的發(fā)展現(xiàn)狀以及對中國半導體存儲產(chǎn)業(yè)帶來的影響。
中國存儲器產(chǎn)業(yè)領(lǐng)航者-長江存儲
2018年4月11日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，中國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)。
長江存儲于2018年8月7日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
采用XtackingTM，可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的XtackingTM技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。長江存儲已成功將Xtacking TM技術(shù)應用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。該產(chǎn)品預計于2019年進入量產(chǎn)階段。
按照規(guī)劃，長江存儲將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，預計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。最新的消息是長江存儲正在評估在南京建設(shè)12吋廠，凸顯國家存儲器基地的雄心大略。
海峽兩岸科技合作的結(jié)晶-福建晉華
晉華集成電路，(JHICC)是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資設(shè)立的先進集成電路生產(chǎn)企業(yè)。公司與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設(shè)12吋內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線，開發(fā)先進存儲器技術(shù)和制程工藝，并開展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷售。以實現(xiàn)集成電路芯片國產(chǎn)化為己任，旨在成為具有先進工藝與自主知識產(chǎn)權(quán)體系的集成電路內(nèi)存(DRAM)制造企業(yè)。
在與晉江一水之隔的臺灣，晉華公司與臺南科技園區(qū)合作成立了聯(lián)合科研中心，設(shè)立這個中心的主要目的是為該項目兩年后的正式投產(chǎn)做技術(shù)儲備。目前已有140多名科研人員在進行相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，待項目投產(chǎn)后，產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)將從臺灣轉(zhuǎn)回晉江。
組建存儲精英團隊-合肥長鑫
合肥長鑫是由北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)與合肥市政府合作的存儲器項目。
合肥長鑫目前官網(wǎng)消息較少，不過人才可以說是合肥長鑫成功的關(guān)鍵，所以合肥長鑫引發(fā)的挖角大戰(zhàn)吸盡了眼球，據(jù)說長鑫已網(wǎng)羅到大批來自SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設(shè)計公司的工程師和管理團隊，未來產(chǎn)能要超過SK海力士無錫工廠。業(yè)內(nèi)盛傳合肥長鑫開出了三倍年薪，高于紫光所開出的兩倍年薪條件，向臺灣企業(yè)人才挖角，且鎖定人數(shù)高達兩百人，無疑會引發(fā)存儲器人才爭奪戰(zhàn)。
合肥長鑫日前宣布已經(jīng)開始投產(chǎn)8Gb LPDDR4 DRAM存儲器。巧的是，就在合肥長鑫宣布開始投產(chǎn)8Gb LPDDR4 DRAM存儲器之后，兆易創(chuàng)新的董事長兼執(zhí)行長的朱一明，也隨宣布辭去兆易創(chuàng)新執(zhí)行長職務(wù)，由合肥長鑫原執(zhí)行長王寧國的手中，正式接任合肥長鑫存儲及睿力執(zhí)行長，顯示中國對發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的重視，并希望借助朱一明的經(jīng)驗，來打造中國存儲器產(chǎn)業(yè)版圖。
在挑戰(zhàn)與機遇中前行
但往往在國產(chǎn)廠商大步向前的過程中，對手們不會輕易放過我們，一定會利用專利及價格戰(zhàn)阻礙我們的突圍。對手們十分清楚，專利戰(zhàn)的目的在于阻礙中國存儲器業(yè)的進步，例如美光的專利戰(zhàn)不得不迫使聯(lián)電暫停了與晉華的合作，晉華的快速發(fā)展戛然而止。
因此中國存儲器業(yè)面臨的最大問題可能有兩個方面，一：輕敵導致的過于自信，認為用不了幾年就能突圍成功，要把困難想得更多些，例如中國存儲器的消耗量很大，中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國進口存儲器889.21億美元，如果依靠國家政策與支持就能生存下來，恐怕不能太依賴，因為只有產(chǎn)品的性價比相近，才有生存的可能性，因為國家的財力有限;二：堅持下去，存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展經(jīng)驗告訴我們，只有堅持到底，才有可能生存下來。今天無論19納米DRAM的良率提升與成本下降，以及32層3D NAND閃存向64層3D NAND閃存的技術(shù)過渡都需要時間上的積累，不可能一蹴而成。
雖說挑戰(zhàn)重重，但背靠大國的的國產(chǎn)廠商也有著諸多機遇。一：從過去幾年不難看出，在存儲領(lǐng)域，政府，地方等齊動手，有充裕的資金支持與政策傾斜。二：中國每年消耗的存儲器數(shù)目金額巨大且在不斷上升，這意味著有著廣闊的市場，提供了優(yōu)良的市場環(huán)境。三：三大國產(chǎn)廠商屬于三個不同類別，分別是長江存儲的32層3D NAND閃存;晉華的32納米、利基型DRAM，以及長鑫的19納米先進型DRAM。三者能起到很好的互補作用促進大環(huán)境進步。四：中國的IoT應用市場發(fā)展迅速，有著名的騰訊、百度、阿里巴巴、小米等，它們推動5G、數(shù)據(jù)中心、互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等應用，可以促進存儲器等配套產(chǎn)業(yè)鏈的形成。
因此在充滿挑戰(zhàn)的中國存儲市場，國產(chǎn)廠商應該把握機遇，沉淀技術(shù)，中國存儲控制器企業(yè)的春天，近在眼前。
