曾經(jīng)，英特爾是存儲器閃存的發(fā)明者之一（另外一家是東芝），為了保持核心業(yè)務(wù)的競爭力，擺脫存儲器的價格和利潤的波動，放棄了存儲器業(yè)務(wù)。
早10年，CPU領(lǐng)域英特爾已經(jīng)沒有對手，于是又看上了存儲器，和鎂光有了合資工廠，也有自己的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，但是始終沒有大動干戈，態(tài)度猶豫模糊。
2016-2018年，眼看著存儲器賺的盆滿缽滿，英特爾終于下定決心擴建大連廠，做閃存。如今，Intel又推出了eMRAM。
真是計劃趕不上變化。還沒有真正有多少業(yè)務(wù)，Nand和DRAM跌的慘叫。不管是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存，最近都在跌價，而且，預(yù)計2019年Q1季度DRAM內(nèi)存市場均價跌幅將達20%，Q2季度會再跌15%。而NAND閃存方面大家的感受更明顯，2018年市場均價跌幅已達50%，并且若仍無足夠需求動能支撐，2019年NAND閃存仍可能再跌50%。
好在eMRAM是一種前沿技術(shù)，并不急于一時。
根據(jù)techpowerup的報導(dǎo)，EETimes上不久前發(fā)布了一份報告，該報告顯示英特爾自己的商用MRAM（磁阻隨機存取存儲器）已經(jīng)準(zhǔn)備好大批量生產(chǎn)。
MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進制的0和1，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲，是一種非易失性存儲技術(shù)，這意味著即使斷電情況下，它仍然會保留住信息，同時它還有不輸于DRAM的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠低于DRAM。
由于不管是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存，制程微縮已遭遇瓶頸，相對地，MRAM未來制程微縮仍有許多發(fā)展空間，MRAM因此備受期待，認(rèn)為可以取代DRAM內(nèi)存和NAND閃存。
MRAM省電的特性，意味著英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用于移動設(shè)備上。并且嵌入式 MRAM 被認(rèn)為特別適用于例如物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備之類的應(yīng)用，也趕搭上 5G 世代的列車。
提交這篇論文的英特爾工程師Ligiong Wei說，英特爾嵌入式MRAM技術(shù)可在200攝氏度下實現(xiàn)長達10 年的數(shù)據(jù)存留，并可在超過100萬個循環(huán)內(nèi)實現(xiàn)持久性，這些都不是閃存能夠比擬的。
從這件事情上看，Intel已經(jīng)在謀劃未來的科技了。扎根存儲，看來是動了真格了。
