作為HDD時代的儲存大廠西部數(shù)據(jù)和處理器一哥英特爾在很長一段時間都像兩條永不相交的平行線一樣井水不犯河水，直到以SSD為代表的閃存存儲大行其道，前者被逼上梁山，后者大爆黑科技乘機下場，兩位走偏了的科技巨頭終于在閃存存儲領(lǐng)域相交了。
本周的Storage Field Day上，西數(shù)透露正在開發(fā)自家的名為“存儲及內(nèi)存（SCM）”的低延遲閃存，據(jù)悉該技術(shù)介于3D NAND與DRAM之間，其訪問延遲在微妙級，使用 1-bit 或 2-bit 的存儲單元，旨在挑戰(zhàn)英特爾的傲騰和三星的Z-NAND。
除此之外，西數(shù)并沒有透露更多細節(jié)，也為就該項技術(shù)是否與去年東芝推出的XL－Flash有關(guān)，同時該公司還拒絕透露相關(guān)產(chǎn)品何時上市。
