韓國(guó)開(kāi)發(fā)出三進(jìn)制半導(dǎo)體,二進(jìn)制過(guò)時(shí)了?

oschina
韓國(guó)一個(gè)科研團(tuán)隊(duì)已成功在大尺寸晶圓上成功實(shí)現(xiàn)了一種更節(jié)能的三元金屬氧化物半導(dǎo)體。

韓國(guó)一個(gè)科研團(tuán)隊(duì)已成功在大尺寸晶圓上成功實(shí)現(xiàn)了一種更節(jié)能的三元金屬氧化物半導(dǎo)體。

▲開(kāi)發(fā)三元金屬氧化物半導(dǎo)體的韓國(guó)科技團(tuán)隊(duì)

韓國(guó)蔚山科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子和計(jì)算機(jī)工程系教授 Kyung Rok Kim 及其團(tuán)隊(duì),成功開(kāi)發(fā)了一種根據(jù)三進(jìn)制邏輯系統(tǒng)而非現(xiàn)有二進(jìn)制邏輯系統(tǒng)運(yùn)行的半導(dǎo)體。這一研究的論文發(fā)表在《自然·電子學(xué)》上。

該科研團(tuán)隊(duì)表示,利用由 0、1、2 組成的三進(jìn)制系統(tǒng),減少了半導(dǎo)體需要處理的信息數(shù)量,提高信息處理速度,從而降低能耗。它還有助于進(jìn)一步減小芯片尺寸。

例如,利用二進(jìn)制表示 128 這個(gè)數(shù),需要 8 “位”數(shù)據(jù);利用三進(jìn)制則只需要 5 “位”數(shù)據(jù)。

電流泄露是進(jìn)一步減小芯片尺寸的一個(gè)主要障礙。在較小的空間內(nèi)封裝更多電路,會(huì)使隧道效應(yīng)更嚴(yán)重,增加泄露的電流,也意味著設(shè)備會(huì)消耗更多電能。

Kyung Rok Kim 表示,如果這一半導(dǎo)體技術(shù)商業(yè)化,這不但標(biāo)志著芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)生根本性轉(zhuǎn)變,也將對(duì)人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)、生物芯片和機(jī)器人等嚴(yán)重依賴半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生積極影響。

自 2017 年 9 月以來(lái),三星一直通過(guò)三星科學(xué)和技術(shù)基金會(huì)資助 Kyung Rok Kim 的研究。三星科學(xué)和技術(shù)基金會(huì)對(duì)有前景的科技項(xiàng)目提供支持。

三星已經(jīng)在芯片代工業(yè)務(wù)部門(mén)驗(yàn)證這一技術(shù)。

THEEND

最新評(píng)論(評(píng)論僅代表用戶觀點(diǎn))

更多
暫無(wú)評(píng)論