國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片最新突破!

中國(guó)半導(dǎo)體論壇
中國(guó)半導(dǎo)體論壇
從全球市場(chǎng)看,存儲(chǔ)芯片競(jìng)爭(zhēng)激烈,三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭在產(chǎn)能上持續(xù)投入,技術(shù)也一直領(lǐng)先。2018年,64層、72層的3D NAND閃存就已經(jīng)是主力產(chǎn)品,2019年開始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品,到2020年,大廠們即將進(jìn)入128層3D NAND閃存的量產(chǎn)。
  在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。今天(9月2日)上午,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking®架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存!
 
 
  這也是中國(guó)首款64層3D NAND閃存,意味著國(guó)內(nèi)在存儲(chǔ)芯片有了新的突破。在2018年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)量產(chǎn)了32層3D NAND閃存芯片,技術(shù)得到了驗(yàn)證。如今,隨著64層3D NAND量產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)繼續(xù)探索高端芯片制造。
 
  市場(chǎng)應(yīng)用方面,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品,以滿足數(shù)據(jù)中心,以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。
 
  長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示:“通過將Xtacking®架構(gòu)引入批量生產(chǎn),能夠顯著提升產(chǎn)品性能,縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期,從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展。”程衛(wèi)華還提到,“隨著5G,人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來(lái),閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。”
 
  從全球市場(chǎng)看,存儲(chǔ)芯片競(jìng)爭(zhēng)激烈,三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭在產(chǎn)能上持續(xù)投入,技術(shù)也一直領(lǐng)先。2018年,64層、72層的3D NAND閃存就已經(jīng)是主力產(chǎn)品,2019年開始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品,到2020年,大廠們即將進(jìn)入128層3D NAND閃存的量產(chǎn)。
 
  因此,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)還處在追趕階段,不過差距正在縮小。據(jù)了解,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有可能跳過9字頭,直接進(jìn)軍128層3D NAND閃存產(chǎn)品。
 
 
  2014年11月,中國(guó)成立國(guó)家集成電路大基金,這個(gè)基金推動(dòng)中國(guó)先進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
 
  2016年3月,在集成電路產(chǎn)業(yè)基金的支持下,武漢新芯宣布投資240億美元在武漢打造一個(gè)世界級(jí)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)企業(yè),集中精力研究生產(chǎn)NANDFLASH和DRAM。
 
  項(xiàng)目分三個(gè)階段部署,第一家工廠專注NAND閃存生產(chǎn),第二家工廠專注DRAM芯片生產(chǎn),第三個(gè)階段的設(shè)施將專為供應(yīng)商服務(wù)。請(qǐng)注意,第一家工廠是做NAND FLASH的,正是長(zhǎng)江存儲(chǔ)是優(yōu)先量產(chǎn)NAND FLASH產(chǎn)品。
 
  2016年7月,紫光集團(tuán)參與進(jìn)來(lái),各方在武漢新芯公司的基礎(chǔ)上成立了長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司并控股武漢新芯。長(zhǎng)江存儲(chǔ)由紫光集團(tuán)子公司紫光國(guó)芯,集成電路基金、湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)和省科投共同出資。其中,紫光國(guó)芯出資197億元人民幣,占51.04%。
 
  2017年1月,紫光集團(tuán)進(jìn)一步宣布投資300億美元,在江蘇南京投資建設(shè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)基地,一期投資100億美元,建成月產(chǎn)能10萬(wàn)片,主要是生產(chǎn)3D NAND FLASH(閃存)、DRAM存儲(chǔ)芯片。
 
  2018年6月,紫光集團(tuán)宣布投資240億美元,在西川成都建3D閃存工廠,2018年10月中旬動(dòng)工,預(yù)計(jì)2020年12月主體完工,第一期建成之后,將月產(chǎn)10萬(wàn)片,三期都完成后將擁有月產(chǎn)30萬(wàn)片的一個(gè)生產(chǎn)能力。
 
  武漢工廠240億美元+南京工廠300億美元+成都工廠240億美元,長(zhǎng)江存儲(chǔ)項(xiàng)目中國(guó)砸了780億美元,NAND Flash便是長(zhǎng)江存儲(chǔ)最先發(fā)力的方向。
 
  而長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前的表現(xiàn)沒有辜負(fù)我們對(duì)它的期望。
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