與2018年的并購(gòu)、建廠、擴(kuò)產(chǎn)、投產(chǎn)相比，到目前為止，今年的存儲(chǔ)器領(lǐng)域并未出現(xiàn)大規(guī)模的并購(gòu)建廠，而是更加注重技術(shù)的升級(jí)、以及新產(chǎn)品的研發(fā)。
2019年長(zhǎng)鑫19納米DRAM正式量產(chǎn)，17納米工藝重大突破；長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND量產(chǎn)，128層3D NAND取得重大突破。2020年中國(guó)大陸存儲(chǔ)進(jìn)入豐年。
下面一起回顧一下2019年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)生的那些大事件。
一、國(guó)內(nèi)篇
2019年2月20日，東南大學(xué)國(guó)家ASIC工程中心時(shí)龍興教授、楊軍教授團(tuán)隊(duì)在ISSCC上發(fā)表了題為《Sandwich-RAM: An Energy-Efficient In-Memory BWN Architecture with Pulse-Width Modulation》的論文，這是ISSCC上第一次錄用中國(guó)大陸存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域相關(guān)論文，是首次深度學(xué)習(xí)處理器領(lǐng)域入選的論文。
1、合肥長(zhǎng)鑫CXMT
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次介紹建設(shè)情況
2019年5月15日，DRAM生產(chǎn)商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼CEO朱一明介紹長(zhǎng)鑫的建設(shè)經(jīng)歷和知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系。
朱一明表示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)通過自主研發(fā)再創(chuàng)新，累計(jì)投入25億美元研發(fā)費(fèi)用，建成了嚴(yán)謹(jǐn)合規(guī)的研發(fā)體系，并結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備完成了大幅度的工藝改進(jìn)，開發(fā)出獨(dú)有的技術(shù)體系，拉近了與世界先進(jìn)水平的技術(shù)差距。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成了第一座12英寸DRAM存儲(chǔ)器晶圓廠的建設(shè)，技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)有序開展。目前，制造工藝進(jìn)展順利，已持續(xù)投入晶圓超過15000片。
平爾萱談長(zhǎng)鑫技術(shù)問題
2019年9月19日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士在演講中表示 基于授權(quán)所得的奇夢(mèng)達(dá)相關(guān)技術(shù)和從全球招攬的極具豐富經(jīng)驗(yàn)的人才，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)借助先進(jìn)的機(jī)臺(tái)已經(jīng)把原本奇夢(mèng)達(dá)的46納米 DRAM平穩(wěn)推進(jìn)到了10納米級(jí)別。公司目前開始在EUV、HKMG和GAA等目前還沒有在DRAM上實(shí)現(xiàn)的新技術(shù)進(jìn)行探索。
8GbDRAM芯片宣布投產(chǎn)
2019年9月20日，在2019世界制造業(yè)大會(huì)上，合肥長(zhǎng)鑫自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的19 納米第一代8Gb DDR48Gb DDR4首度亮相。
據(jù)了解，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目于2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺(tái)合肥產(chǎn)投與細(xì)分存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項(xiàng)目，一期設(shè)計(jì)規(guī)劃產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。
目前，該項(xiàng)目已通過層層評(píng)審，并獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明表示，投產(chǎn)的8Gb DDR4已經(jīng)通過多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付。8Gb LPDDR4X也于第四季度實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。
集成電路制造基地項(xiàng)目簽約
2019年9月21日，在2019世界制造業(yè)大會(huì)上，合肥市政府與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司、華僑城集團(tuán)有限公司、北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司等就合肥長(zhǎng)鑫集成電路制造基地項(xiàng)目簽約。
合肥長(zhǎng)鑫集成電路制造基地項(xiàng)目總投資超過2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)，占地面積約15.2平方公里，由長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園和合肥空港國(guó)際小鎮(zhèn)三個(gè)片區(qū)組成。
其中長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目總投資1500億元；空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園總投資超過200億元，位于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目以西；合肥空港國(guó)際小鎮(zhèn)總投資約500億元，規(guī)劃面積9.2平方公里，總建筑面積420萬(wàn)平方米，位于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目以北。
制造基地全部建成后，預(yù)計(jì)可形成產(chǎn)值規(guī)模超2000億元，集聚上下游龍頭企業(yè)超200家，吸引各類人才超20萬(wàn)人。
專利授權(quán)
2019年12月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和WiLAN Inc.聯(lián)合宣布，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN Inc.合資子公司Polaris Innovations Limited有關(guān)達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。依據(jù)專利許可協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris獲得大量奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda）的DRAM技術(shù)專利的實(shí)施許可。
未來(lái)規(guī)劃
根據(jù)規(guī)劃，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合肥12英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產(chǎn)能為12 萬(wàn)片，預(yù)計(jì)分為三個(gè)階段執(zhí)行，第一階段要完成單月4萬(wàn)片，目前為2萬(wàn)片，2020年第一季底達(dá)到4萬(wàn)片。2020年開始規(guī)劃建設(shè)二期項(xiàng)目，并于2021年完成17nm工藝的DRAM研發(fā)。
2、紫光集團(tuán)
宣布進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)
2019年6月30日，紫光集團(tuán)正式宣布組建DRAM事業(yè)群，委任刁石京為DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng)，高啟全（Charles Kau）為DRAM事業(yè)群首席執(zhí)行官（CEO）。此舉標(biāo)志著DRAM業(yè)務(wù)版塊在紫光集團(tuán)內(nèi)部獲得戰(zhàn)略提升。
隨后，紫光迅速布局，8月27日和重慶市人民政府簽署紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國(guó)芯集成電路股份有限公司，建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠。
12英寸DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠計(jì)劃于2019年底開工建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)。
64層3D NAND閃存投產(chǎn)
2019年8月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存芯片在第二屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上首次公開展出。
9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在其官方微信正式宣布，已經(jīng)投產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)打造的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)上海研發(fā)中心落戶張江
2019年8月31日，2019世界人工智能大會(huì)“生態(tài)引領(lǐng)、智鏈浦東”峰會(huì)在世博中心召開。會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)上海研發(fā)中心簽約上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園。
紫光長(zhǎng)存（上海）集成電路有限公司與張江高科簽約的長(zhǎng)江存儲(chǔ)上海研發(fā)中心為自主研發(fā)存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目，將在張江成立上海研發(fā)中心，預(yù)計(jì)研發(fā)投入每年不低于1億元。
聘任坂本幸雄
2019年11月15日，紫光集團(tuán)正式宣布任命前爾必達(dá)CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）為紫光集團(tuán)高級(jí)副總裁兼日本分公司CEO，負(fù)責(zé)拓展紫光在日本市場(chǎng)的業(yè)務(wù)。
坂本幸雄在接受《鉆石周刊》獨(dú)家專訪中談到，紫光的目標(biāo)是5年內(nèi)量產(chǎn)DRAM，他的工作就是協(xié)助達(dá)成目標(biāo)。紫光要在日本神奈川縣川崎辦公室設(shè)立“設(shè)計(jì)中心”，預(yù)定招募70到100位工程師，和中國(guó)的制程據(jù)點(diǎn)密切合作，大約花2、3年建構(gòu)量產(chǎn)的體制。
武漢新芯二期投產(chǎn)
2019年武漢新芯二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目順利投產(chǎn)，將于2020正式量產(chǎn)。
2018年8月28日，武漢新芯集成電路制造有限公司召開二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)會(huì)在武漢召開。據(jù)悉武漢新芯二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目規(guī)劃總投資17.8億美元；2018年月開始12 進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試。設(shè)備安裝調(diào)試。
紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目
2019年，原預(yù)計(jì)于2020年第三季投產(chǎn)的紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目主廠房還在建設(shè)中。
2018年10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工。據(jù)介紹，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目占地面積約1200畝，總投資達(dá)240億美元，將建設(shè)12寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)悉，項(xiàng)目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片30萬(wàn)片。
128層3D NAND獲突破
2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND Flash已經(jīng)取得重大突破，目前正在改進(jìn)良率中，預(yù)期2020年投產(chǎn)。
未來(lái)規(guī)劃
長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠目前的產(chǎn)能約月產(chǎn)能2萬(wàn)片，預(yù)計(jì)到2020年四季度會(huì)達(dá)到月產(chǎn)能5萬(wàn)片。
紫光成都廠按計(jì)劃2020年第三季度投產(chǎn)，到2020年四季度月產(chǎn)能可爬升到1到2萬(wàn)片。
按照計(jì)劃，2019年順利量產(chǎn)64層3D NAND Flash之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)跳過96層堆疊直接殺向128層堆疊，而據(jù)悉128層3D NAND Flash也已經(jīng)取得重大突破，這也意味著，2020年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將要進(jìn)行128層3D NAND Flash的量產(chǎn)。
3、晉華集成
據(jù)悉，晉華工廠有200余臺(tái)設(shè)備，原計(jì)劃2018年底試產(chǎn)。然而，由于福建晉華和美光之間的訴訟，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間2018年10月29日，美國(guó)將福建晉華列入了出口管制的實(shí)體清單。隨后，聯(lián)電也宣布暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助。至此福建晉華的DRAM幾乎陷入停滯。
但是2019年以來(lái)，筆者在多個(gè)場(chǎng)合見到晉華集成副總經(jīng)理徐征，雖然并未透露任何有關(guān)晉華的信息，但其代表晉華公開現(xiàn)身，應(yīng)該表明“晉華仍在運(yùn)轉(zhuǎn)當(dāng)中”。
二、海外篇
1、鎧俠/東芝
與西數(shù)聯(lián)合投資北上K1工廠
2019年5月，和西數(shù)達(dá)成正式協(xié)議，共同投資在日本巖手縣北上市建造的“K1”制造工廠。
K1工廠的建設(shè)預(yù)計(jì)將在2019年秋季完成，而東芝存儲(chǔ)器和西部數(shù)據(jù)對(duì)K1工廠設(shè)備的聯(lián)合投資將從2020年開始實(shí)現(xiàn)96層3D NAND Flash的初始生產(chǎn)。
四日市工廠停電
2019年6月15日，日本四日市停電13分鐘（從18:25到18:38），而東芝存儲(chǔ)器因?yàn)樵谠撌袚碛卸鄠€(gè)工廠也隨之備受關(guān)注。
東芝存儲(chǔ)器在四日市市運(yùn)營(yíng)的6個(gè)晶圓廠（NY2，Y3，Y4，Y5-1，Y5-2和Y6），都遭受不同程度的損失。
2019年6月下旬，西部數(shù)據(jù)表示停電事故影響到西部數(shù)據(jù)共約6EB當(dāng)量的wafer產(chǎn)出，約占當(dāng)季供應(yīng)量的一半左右。
收購(gòu)臺(tái)灣光寶SSD業(yè)務(wù)
2019年8月30日，與光寶（liton Technology Corporation）簽署了收購(gòu)其SSD（固態(tài)硬盤）業(yè)務(wù)的最終協(xié)議。收購(gòu)價(jià)格為1.65億美元，該交易預(yù)計(jì)將于2020年上半年完成，并將根據(jù)慣例進(jìn)行收市調(diào)整和監(jiān)管審批。
其中收購(gòu)包括存貨、機(jī)器設(shè)備、員工團(tuán)隊(duì)、技術(shù)與知識(shí)產(chǎn)權(quán)、客戶供應(yīng)商關(guān)系等營(yíng)業(yè)與資產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年4月1日完成。
此次收購(gòu)視為加強(qiáng)公司SSD業(yè)務(wù)的一種方式。
更名Kioxia
2019年10月1日，東芝存儲(chǔ)器正式更名為Kioxia公司。全球所有東芝存儲(chǔ)器公司都會(huì)采用新的品牌名稱Kioxia，基本上同一天生效。而東芝電子（中國(guó)）有限公司計(jì)劃將于2020年春天完成更名。
東芝存儲(chǔ)器稱，融合了“記憶”與“價(jià)值”的雙重含義，Kioxia代表了公司以“存儲(chǔ)”助力世界發(fā)展的使命，同時(shí)也是公司愿景的基石。
Kioxia將開創(chuàng)新的存儲(chǔ)器時(shí)代，以應(yīng)對(duì)日益增大的容量、高性能存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)處理的需求。
2、美光
恢復(fù)向華為出貨部分芯片
2019年5月，美國(guó)商務(wù)部將華為列入一項(xiàng)黑名單后，美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光也停止了華為的出貨。然而，不久之后，有外媒報(bào)道，美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra表示，在評(píng)估美國(guó)對(duì)華為的禁售令之后，已經(jīng)恢復(fù)部分芯片出貨。
美光確定，可以合法恢復(fù)一部分現(xiàn)有產(chǎn)品出貨，因?yàn)檫@些產(chǎn)品不受出口管理?xiàng)l例 (EAR) 和實(shí)體清單的限制。Mehrotra同時(shí)指出，因?yàn)槿A為的情況依然存在不確定性，因此美光無(wú)法預(yù)測(cè)對(duì)華為出貨的產(chǎn)品數(shù)量或持續(xù)時(shí)間。
不過，到目前為止，尚未有美光再次向華為停止出貨的消息傳出。
延遲日本廣島DRAM新廠投資計(jì)劃
美光位于日本廣島的DRAM工廠（Fab 15）最新的生產(chǎn)廠房B棟已于2019年6月初落成啟用，其無(wú)塵室的面積較原先擴(kuò)大了10%，并計(jì)劃進(jìn)行新一代DRAM 的生產(chǎn)，以縮小與三星的差距。
Fab 15實(shí)際上是在2013年美光買下爾必達(dá)后納入麾下的，原計(jì)劃在今年中期在該廠展開1Z nm制程的下一代DRAM 生產(chǎn)，不過據(jù)傳該廠已動(dòng)工的F棟廠房部分?jǐn)U建已經(jīng)向后推遲了7個(gè)月，F(xiàn)棟廠房原本預(yù)計(jì)在2020年的7月份完成興建，如今已經(jīng)延遲到2021年的2月份，足足向后延遲了7個(gè)月的時(shí)間。
各中原因，眾說紛紜，有說是因?yàn)閷?duì)華為禁運(yùn)，有說是因?yàn)閿?shù)據(jù)市場(chǎng)低迷。
新加坡閃存廠完成擴(kuò)建
2019年8月14日，美光宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A的擴(kuò)建，這是繼Fab 10N、Fab 10X之后的第三座NAND Flash工廠。
擴(kuò)建的Fab 10A為晶圓廠區(qū)無(wú)塵室空間帶來(lái)運(yùn)作上的彈性，可促進(jìn)3D NAND技術(shù)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的技術(shù)轉(zhuǎn)型。另外，擴(kuò)建的Fab 10A廠區(qū)將根據(jù)市場(chǎng)需求調(diào)整資本支出，在技術(shù)及產(chǎn)能轉(zhuǎn)換調(diào)整情況下，F(xiàn)ab 10廠區(qū)總產(chǎn)能將保持不變。
臺(tái)灣DRAM擴(kuò)產(chǎn)
2019年8月，美光（Micron）將在臺(tái)灣加碼投資，要在現(xiàn)有廠區(qū)旁興建2座晶圓廠，總投資額達(dá)4000億元新臺(tái)幣（約合人民幣903億元），生產(chǎn)最新制程DRAM。美光此次4000億新臺(tái)幣擴(kuò)建案，規(guī)劃在目前中科廠旁，興建A3及A5二座晶圓廠。
其中，A3廠房是以擴(kuò)建無(wú)塵室為名，且已進(jìn)入工程興建階段，預(yù)定2020年8月完工投，并陸續(xù)裝機(jī)，2020年第4季導(dǎo)入最新的1Z制程試產(chǎn)，借此縮小與三星的差距；第二期A5廠將視市場(chǎng)需求，逐步擴(kuò)增產(chǎn)能，規(guī)劃設(shè)計(jì)月產(chǎn)能6萬(wàn)片。
完成收購(gòu)IMF，結(jié)束和英特爾的合作
2019年10月31日，美光完成對(duì)英特爾在雙方合資公司IM Flash Technologies的股權(quán)收購(gòu)，位于猶他州Lehi的工廠成為美光的全資子公司。此舉表明，美光和英特爾在NAND Flash方面的合作也將徹底結(jié)束，包括3D NAND技術(shù)的研發(fā)，將各自獨(dú)立推動(dòng)自己的未來(lái)技術(shù)路線圖。
3、SK海力士
停產(chǎn)部分NAND Flash產(chǎn)品
2019年第一季度，SK海力士財(cái)報(bào)表現(xiàn)不盡如人意，營(yíng)收為6.77兆韓元，環(huán)比下滑32%，同比下滑22%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1.37兆韓元，環(huán)比下滑69%，同比下滑69%；凈利潤(rùn)1.1兆韓元，環(huán)比下滑68%，同比下滑65%。
因此，SK海力士表示，為專注于改善收益，在NAND Flash部分，將停止生產(chǎn)成本較高的36層與48層3D NAND，同時(shí)提高72層產(chǎn)品的生產(chǎn)比重。
在DRAM領(lǐng)域，將逐漸擴(kuò)大第一代10納米 (1X) 產(chǎn)量，并從下半年起，將主力產(chǎn)品更換為第二代10納米 (1Y) 產(chǎn)品。與此同時(shí)，為支援新款服務(wù)器芯片的高用量DRAM需求，將開始供給64GB模塊產(chǎn)品。
無(wú)錫新廠完工
2019年4月18日，SK海力士無(wú)錫二工廠（C2F）舉行了竣工儀式。二工廠是在原有DRAM生產(chǎn)線C2的基礎(chǔ)上實(shí)施的擴(kuò)建工程。二工廠項(xiàng)目全部建成后，SK海力士無(wú)錫工廠將形成月產(chǎn)18到20萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能。
不過由于各種原因，目前產(chǎn)能推進(jìn)不是很積極。
量產(chǎn)業(yè)界首款128層4D NAND芯片
2019年6月26日，SK海力士宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。
在相同的4D平臺(tái)和工藝優(yōu)化下，SK海力士在現(xiàn)有96層NAND的基礎(chǔ)上又增加了32層，使制造工藝總數(shù)減少了5%。與以往技術(shù)遷移相比，96層向128層NAND過渡的投資成本降低了60%，大大提高了投資效率。
這款128層的1Tb NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的垂直堆疊，擁有3600多億個(gè)NAND單元，每個(gè)單元在一個(gè)芯片上存儲(chǔ)3位。相較于此前的96層4D NAND，SK海力士新的128層1Tb 4D NAND可使每塊晶圓的位產(chǎn)能提高40%。
4、三星
全球首發(fā)量產(chǎn)512GB eUFS3.0閃存芯片
2019年2月27日，三星電子宣布，全球首發(fā)量產(chǎn)512GB eUFS3.0閃存芯片，成為了全球唯一一家可以量產(chǎn)512GB eUFS3.0閃存芯片的公司，該芯片用于三星折疊屏手機(jī)Galaxy Fold。
三星電子表示，eUFS3.0芯片連續(xù)讀取速度可達(dá)2100MB/s，是現(xiàn)有eUFS 2.1速度的兩倍有余，也是普通SD卡速度的20多倍，計(jì)劃下半年開始供應(yīng)1TB與256GB規(guī)格的eUFS 3.0閃存芯片。
推出1Z納米制程DRAM
在DRAM制程陸續(xù)進(jìn)入10納米級(jí)制程后，三星電子于2019年3月21日宣布，開發(fā)第三 代1010納米等級(jí)（1znm）8GB DDR4。
而這也是三星發(fā)展第二代（1ynm）制程DRAM之后，經(jīng)歷16個(gè)月，在不使用EUV的情況下，再次開發(fā)出更先進(jìn)制程的DRAM產(chǎn)品。
隨著1znm制程產(chǎn)品問世，并成為業(yè)界最小的存儲(chǔ)器生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，三星的生產(chǎn)效率比以前1ynm等版DDR4 DRAM高20%以上。
三星指出，跨入1znm制程的DRAM生產(chǎn)，將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面，包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預(yù)做準(zhǔn)備。
量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM
2019年7月18日，三星電子官方宣布量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對(duì)未來(lái)智能手機(jī)，優(yōu)化其5G和AI功能。
采用第2代10納米等級(jí)（1ynm）制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，傳輸速度可達(dá)到5500Mbps，是現(xiàn)有LPDDR4X速率4266Mbps的1.3倍。
三星表示，2020年將量產(chǎn)16Gb的LPDDR5 DRAM顆粒。
三星西安基地?cái)U(kuò)產(chǎn)
2019年12月25日，三星西安二期二階段開工，預(yù)計(jì)投資達(dá)80億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能7萬(wàn)片。
三星西安基地二期一階段月產(chǎn)能6萬(wàn)片，已經(jīng)開始投片試產(chǎn)，將于2020年3月正式量產(chǎn)。
二期整體完工后，西安總產(chǎn)能將高達(dá)25萬(wàn)片。
三星華城停電
2019年12月31日下午，三星華城基地發(fā)生大約一分鐘的斷電事故，導(dǎo)致三星華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。
據(jù)悉，此次斷電是因?yàn)閰^(qū)域電力傳輸電纜出現(xiàn)問題，目前部分DRAM和NAND閃存的生產(chǎn)已經(jīng)暫停，預(yù)計(jì)需要大約兩到三天時(shí)間才能全面恢復(fù)。此次事故可能造成數(shù)百萬(wàn)美元損失，但沒有造成重大破壞。
而2018年，三星平澤工廠一次半小時(shí)的斷電造成了據(jù)估計(jì)高達(dá)500億韓元（約合4332萬(wàn)美元）的損失。
5、英特爾
2019年9月，英特爾表示，3D XPoint閃存依然采用第一代兩層堆疊技術(shù)，制造還依賴美光工廠的產(chǎn)能。
明年上市的第四代3D閃存已經(jīng)確定將使用144層堆疊技術(shù)，并且同96層堆疊時(shí)代不同的是QLC閃存將成為首發(fā)產(chǎn)品。但繼續(xù)沿用Floating Gate浮柵結(jié)構(gòu)，英特爾表示這種結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)保存期上較Charge Trap結(jié)構(gòu)更有優(yōu)勢(shì)。
PLC（5bit per cell）可行性也在討論中，并沒有量產(chǎn)的時(shí)間表。
出售IMF，結(jié)束和美光的合作
2019年10月31日，英特爾完成在和美光的合資公司IM Flash Technologies中的股權(quán)出售，位于猶他州Lehi的工廠成為美光的全資子公司。此舉表明，美光和英特爾在NAND Flash方面的合作也將徹底結(jié)束，包括3D NAND技術(shù)的研發(fā)，將各自獨(dú)立推動(dòng)自己的未來(lái)技術(shù)路線圖。
6、華邦電子
高雄新廠延后
華邦電子高雄12英寸廠房于2019年7月封頂，原本預(yù)期2021年底可開始進(jìn)入生產(chǎn)，初期以25納米DRAM開始投片。2019的2月6日華邦電子表示，由于2012年存儲(chǔ)器市況將趨于穩(wěn)定，但因存儲(chǔ)器價(jià)格仍然不好，所以高雄12英寸廠的裝機(jī)時(shí)間將遞延到2022年第一季。
中科廠挺進(jìn)下一代制程
2019年，中科廠已經(jīng)安裝20納米和25納米的DRAM設(shè)備，在此試驗(yàn)新制程，如果良率得以提升，然后再搬到高雄新廠量產(chǎn)。
7、旺宏電子
加碼3D NAND Flash
2019年12月9日，旺宏公司表示將于2020年下半年開始量產(chǎn)48層3D NAND存儲(chǔ)器，并且已經(jīng)收到了客戶的訂單。此外，公司計(jì)劃在2021年量產(chǎn)96層，在2022年量產(chǎn)192層3D NAND存儲(chǔ)器。
旺宏成立30年，目前已經(jīng)在ROM、NOR Flash拿下全球第一的地位，下一個(gè)目標(biāo)則是要在20年內(nèi)，成為NAND Flash的領(lǐng)導(dǎo)廠商。
8、南亞科技
自主研發(fā)10納米級(jí)工藝
2019年，南亞科技完成自主研發(fā)10納米級(jí)DRAM技術(shù)，將在2020年下半年試產(chǎn)。
南亞科技現(xiàn)在以20納米技術(shù)為主力，技術(shù)來(lái)源為美光。隨著南亞科技10納米制程導(dǎo)入自主技術(shù)，意味未來(lái)不再仰賴美光授權(quán)，擺脫數(shù)十年來(lái)技術(shù)長(zhǎng)期依賴國(guó)際大廠的狀況，免除動(dòng)輒上百億元的授權(quán)費(fèi)用。
南亞科技已成功開發(fā)出10納米DRAM新型記憶體生產(chǎn)技術(shù)，使DRAM產(chǎn)品可持續(xù)微縮至少三個(gè)時(shí)代。第一代的10納米前導(dǎo)產(chǎn)品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5將建構(gòu)在自主制程技術(shù)及產(chǎn)品技術(shù)平臺(tái)，2020下半年后將進(jìn)入產(chǎn)品試產(chǎn)。第二代10納米制程技術(shù)已開始研發(fā)階段，預(yù)計(jì)2022年前導(dǎo)入試產(chǎn)，后續(xù)會(huì)開發(fā)第三代10納米制程技術(shù)。
