根據(jù)外媒消息，西部數(shù)據(jù)公司日前宣布，已成功開發(fā)了其第五代3D NAND技術(shù)BiCS5，并借此繼續(xù)保持其在業(yè)界提供先進閃存技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。
BiCS5技術(shù)為西部數(shù)據(jù)與鎧俠株式會社（KIOXIA）共同開發(fā)——后者的前身為東芝存儲器株式會社，于2019年10月1日起正式更名。與上一代（BiCS4，96層堆棧）相比，BiCS5技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更高層數(shù)的堆棧——112層。這意味著BiCS5技術(shù)能夠帶來更高的閃存密度。
基于BiCS5技術(shù)的產(chǎn)品主要有TLC（Triple-Level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）兩種類型，以更優(yōu)的成本，提供了可觀的容量、性能和可靠性。這使得它成為解決互聯(lián)網(wǎng)汽車、移動設(shè)備和人工智能相關(guān)的數(shù)據(jù)存儲問題的理想選擇。
西部數(shù)據(jù)已經(jīng)開始生產(chǎn)512 Gb BiCS5 TLC存儲芯片，預(yù)計到2020年下半年，BiCS5 SSD的商業(yè)產(chǎn)量將達到可觀的水平，后續(xù)該公司將陸續(xù)提供更多容量選擇。
3D NAND層數(shù)年年增加，提高密度降低成本
就像機械硬盤提高容量密度主要靠增加碟數(shù)一樣，增加堆棧的層數(shù)，也是NAND閃存提高密度的主要手段。事實上，西部數(shù)據(jù)并不是第一個實現(xiàn)堆棧層數(shù)破百的廠商。在2019年，SK海力士、三星都已先后實現(xiàn)了128層3D NAND技術(shù)，并開始逐步量產(chǎn)——這可能是目前業(yè)界已知的最高層數(shù)。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，隨著技術(shù)的升級，96層3D NAND將在2020年成為英特爾、三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等原廠的主要發(fā)力點，很有可能實現(xiàn)大規(guī)模普及，并逐步取代64層3DNAND。而向更高堆疊層數(shù)的追求也將在2020年繼續(xù)進行，英特爾甚至將在今年推出144層QLC NAND。
從2013年24層3D NAND的推出，到如今的128層，堆疊層數(shù)的增長引發(fā)了業(yè)內(nèi)的各種預(yù)測。2019年5月在上海舉辦的GSA MEMERY＋論壇上，三星曾公開表示，預(yù)計在未來5年內(nèi)，3D NAND堆疊層數(shù)將達到500層，10年內(nèi)將可達到1000層。
閃存價格走勢并不明朗
堆疊層數(shù)的提高，毫無疑問將實現(xiàn)容量的提高以及單位成本的降低，也會在很大程度上對NAND閃存的價格產(chǎn)生影響。長期來看，閃存降價似乎是必然的。但短期內(nèi)，閃存價格走勢仍然不明朗——因為產(chǎn)品的定價往往受到多方面因素的影響。
消費類NAND Flash綜合價格指數(shù)走勢圖
來源：中國閃存市場網(wǎng) www.chinaflashmarket.com，數(shù)據(jù)截止至2019年12月27日
以2019年NAND閃存市場行情走勢為例，上半年和下半年呈現(xiàn)出完全不一樣的走向。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，2019上半年NAND 閃存價格持續(xù)下跌，一直延續(xù)到6月底。而下半年則經(jīng)歷了2次漲價，如今基本已漲回到2019年初的價位，部分閃存產(chǎn)品價格更是創(chuàng)歷史高點。
同時值得注意的是，雖然2019年下半年NAND閃存價格有所回彈，但原廠的利潤依然在同比下滑。例如，三星2019年Q4初步預(yù)計營收額為59兆韓元，同比下降0.5%，營業(yè)利潤為7.1兆韓元，同比下降34.26%；美光2020財年Q1營收51.4億美元，同比下滑35%，凈利潤為4.91億美元，同比下滑85%。由此可見，NAND閃存的價格可能已臨近“谷底”。
站在整個產(chǎn)業(yè)角度上來看，隨著5G、AI等技術(shù)的進一步發(fā)展，特別是2020年5G應(yīng)用的鋪開，市場對于數(shù)據(jù)存儲的需求將持續(xù)拔高。原廠可能會由此提升產(chǎn)能，再加上96層3D NAND技術(shù)的大范圍普及，我們可以大膽預(yù)測，2020年閃存價格可能會有所下跌，但總體來說，這種下跌也許不會太明顯。
