日前，存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)的應(yīng)用效能。
據(jù)了解，176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘(Replacement Gate)架構(gòu)，是目前全球技術(shù)最為先進(jìn)的NAND節(jié)點(diǎn)，相較于前代3D NAND相比，美光176層3D NAND閃存在讀取及寫入延遲方面提升35%。
美光176層閃存其實(shí)是基于兩個(gè)88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個(gè)Die的容量為512Gb(64GB)，當(dāng)然后期很可能會(huì)加入QLC。
據(jù)悉，美光176層3D NAND閃存可提供更好的服務(wù)質(zhì)量，可加速數(shù)據(jù)密集環(huán)境和工作負(fù)載，例如數(shù)據(jù)庫、人工智能引擎以及大數(shù)據(jù)分析等。
得益于新的閃存架構(gòu)和堆疊技術(shù)，美光將176層閃存的厚度控制在45微米，基本上與早期的64層浮動(dòng)?xùn)艠O3D NAND相當(dāng)，所以，即使在一顆芯片內(nèi)封裝16個(gè)Die，做到1TB的單顆容量，厚度也不會(huì)超過1.5毫米，可以輕松放入智能手機(jī)、存儲(chǔ)卡。
