上月中旬，臺積電宣布，他們聯(lián)合臺大、麻省理工兩所大學(xué)，已經(jīng)在1nm芯片領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。
據(jù)悉，該項(xiàng)研究成果首度提出利用“半金屬鉍（Bi）”作為二維材料的接觸電極，可大幅降低電阻并提高電流，使其效能幾乎與硅一致，有助實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體1nm以下制程挑戰(zhàn)。
在研究過程中，臺積電技術(shù)研究部門將鉍(Bi)沉積制程進(jìn)行優(yōu)化，最終取得了這項(xiàng)突破性的研究成果。
當(dāng)前芯片的主流材料是硅，但可惜這種材料制作芯片存在物理極限，因此能夠取代硅并且提升芯片進(jìn)程的新材料，近年來一直是科學(xué)界探索的焦點(diǎn)。
讓臺積電以及各國都沒想到的是：中國掌握著1nm芯片制作原材料的命脈——金屬鉍在中國的儲量，占全球的75％，達(dá)到24萬噸。而鉍存儲量基礎(chǔ)占據(jù)全球69%，達(dá)到47萬噸。掌握著如此份額的原材料，使用鉍為原材料所制成的芯片顯然繞不開中國，而中國在全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈之中的地位，也因此預(yù)計將獲得極大的提升。
目前，全球的鉍儲量非常稀少，存在形式也比較特殊，一般以游離金屬、以及礦物的形式存在。鉍金屬很難與其他金屬分離，這大概就是它非常稀少的原因。
據(jù)數(shù)據(jù)顯示，中國最大的鉍儲量省份是湖南，單它一個省份便占了全球儲量的50%，其次是廣東和江西。
全新技術(shù)或材料的應(yīng)用，以往的市場格局有望被打破。不過，雖然中國掌握了鉍資源，但在未來，還需要繼續(xù)攻克芯片技術(shù)，不斷提升科技實(shí)力，才能占據(jù)優(yōu)勢、扎穩(wěn)腳跟，在芯片的研制上不再被“卡脖子”。
