本文來自微信公眾號“全球半導體觀察”，作者/Flora。
進入2023年第四季度，隨著原廠減產效應逐漸奏效，加上部分應用市場需求持續(xù)強勁，存儲器市場DRAM與NAND Flash價格迎來全面上漲，漲勢有望延續(xù)至明年第一季度。
全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%，NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%。展望2024年第一季，預估整體存儲器的漲勢將延續(xù)，其中Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合約價仍會續(xù)漲，漲幅則視后續(xù)原廠是否維持保守的投產策略，以及終端是否有實質買氣支撐而定。
經歷過“寒冬”的存儲器市場正在逐漸釋放暖意，除了漲價之外，業(yè)界預估以下因素也將持續(xù)推動存儲器市場轉好。
AI推動手機內存容量提升
據外媒Wccftech報道，2024年流行趨勢之一是終端AI，現內建于多款芯片組，如Snapdragon 8 Gen 3、天璣9300和Exynos 2400。有AI功能的智能手機需要更多內存，內建AI功能的Android手機內存容量至少將達到20GB RAM。
8GB RAM雖仍是Android智能手機標準，但市場上已經出現比多數筆電或PC更高內存的手機，雖還沒成為標配。業(yè)界指出，為了讓將來設備AI影像功能順利執(zhí)行，Android手機需要至少12GB RAM，加上AI應用及其他功能，手機需要超過20GB RAM才能流暢運作。
考慮到多家Android手機商正持續(xù)投資AI，2024年AI將成為設備重點。因此，業(yè)界認為RAM要求更高后，硬件規(guī)格對現代AI設備來說比以往都更重要。
DDR5市場需求將明顯成長
業(yè)界認為，隨著DDR5價格向下，原廠良率不斷提升，未來DDR5市場需求將明顯成長。
DDR5作為高附加值DRAM芯片，正持續(xù)受到大廠青睞。今年10月美光科技宣布推出基于1β技術的DDR5內存，速率高達7200 MT/s，現已面向數據中心及PC市場的所有客戶出貨。近期，美光又帶來了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM內存，該系列內存具有高達8000 MT/s的速度，適用于服務器和工作站平臺。該款芯片同樣采用美光的1β技術，能源效率提高達24%，延遲降低高達16%。此外，美光計劃2024年開始推出速度為4800 MT/s、5600 MT/s和6400 MT/s型號，未來將推出8000 MT/s的型號。
三星方面，據業(yè)內人士透露，三星內部正在考慮擴大DDR5生產線。鑒于DDR5的高價值及其在PC和服務器市場的采用，今年基本上被視為“DDR5的大規(guī)模采用年”。
HBM供給情況將大幅改善
與DDR5一樣，HBM作為高附加值DRAM芯片，今年也受到市場極大關注。AI大勢之下，HBM市場需求高漲，而原廠產能供不應求，HBM擴產潮開啟。
集邦咨詢調查顯示，展望2024年，基于各原廠積極擴產的策略，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預估將從2023年的-2.4%，轉為0.6%。
集邦咨詢認為，隨著AI熱潮帶動AI芯片需求，對HBM需求量在2023年與2024年也隨之提升，促使原廠也紛紛加大HBM產能，展望2024年，HBM供給情況可望大幅改善。而以規(guī)格而言，伴隨AI芯片需要更高的效能，HBM主流也將在2024年移轉至HBM3與HBM3e。整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價格高于前代產品的情形下，2024年HBM營收可望有顯著的成長。
