近兩年，我國半導體行業(yè)市場持續(xù)增長，根據(jù)中國半導體行業(yè)觀察數(shù)據(jù)，中國半導體市場總額從2000年170億美元，增加到2016年的1600億美元，年復合增長率45.30%，預計到2020年達到2020億美元，4年復合增長率為6%。半導體行業(yè)中，存儲芯片一直都是產(chǎn)業(yè)的重中之重。
半導體行業(yè)中，存儲芯片一直都是產(chǎn)業(yè)的重中之重，2017年存儲芯片銷售額占據(jù)了半導體市場銷售額的三分之一。而這兩年存儲芯片的價格猛漲，使得相關(guān)企業(yè)獲益良多，存儲巨頭三星更是憑借這一勢頭，成功取代了英特爾成為了全球最大的半導體公司！
在需求和價格雙雙暴漲的存儲市場當中，韓日美等存儲巨頭牢牢掌控了市場。在DRAM市場上，三星、SK海力士、美光三家企業(yè)長期占有了95%的市場份額，而在NAND市場上，三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士這五家公司則占據(jù)了93%以上的市場份額。
兆易創(chuàng)新十八個漲停板背后的存儲產(chǎn)業(yè)布局
雖然絕大部分市場被這幾家巨頭瓜分，市場漲價的利好也會照顧到夾縫中求生存的企業(yè)。這幾年在國家政策的大力支持和資本的持續(xù)投入下，紫光、長江存儲、兆易創(chuàng)新等公司也正在快速崛起！
其中兆易創(chuàng)新表現(xiàn)得十分搶眼，自上市后，兆易創(chuàng)新股票一路飆升，股價漲幅一度超過十倍，成為資本市場熱捧的對象，這其中除了存儲市場表現(xiàn)強勁的因素之外，和兆易創(chuàng)新多方拓寬戰(zhàn)略布局有密不可分的關(guān)系。
NOR Flash全球第三
近日，兆易創(chuàng)新發(fā)布了2017年年報，交出了一份較為不錯的成績單。根據(jù)年報數(shù)據(jù)顯示，兆易創(chuàng)新在過去的2017年營收20.30億元，同比增長36.3%；凈利潤達到3.97億元，同比增長125.26%。目前主要營收產(chǎn)品仍然是閃存芯片產(chǎn)品及微控制器產(chǎn)品。存芯片產(chǎn)品主要為NOR Flash和NAND Flash兩類。
這些年，兆易創(chuàng)新在閃存芯片的道路上取得的突破有目共睹！兆易創(chuàng)新成立于2005年，在創(chuàng)始人朱一明的帶領(lǐng)下，兆易2006年就量產(chǎn)了第一顆基于SRAM技術(shù)的Terayon系列產(chǎn)品，到后面的SPI接口Flash存儲器以及現(xiàn)在的NOR Flash和NAND Flash。無論是在技術(shù)還是市場上，都得到了業(yè)界的肯定。
在2016年時，兆易創(chuàng)新就憑借著NOR Flash全球7%的市場占有率排在全球第五，排在前面的分別是賽普拉斯、旺宏、美光和華邦電子。隨著兆易創(chuàng)新自身技術(shù)的提高和直接競爭對手賽普拉斯、美光科技退出中低端容量NOR Flash市場，兆易創(chuàng)新輕松殺進NOR Flash前三的位置。
但市場競爭的壓力并沒有因此減少很多，相對于DRAM和NAND，NOR Flash在存儲領(lǐng)域算是門檻比較低的，賽普拉斯、美光的退出讓入行早、規(guī)模大的臺灣旺宏、華邦電子的市場占有率大幅提升，當然兆易創(chuàng)新也迎來了前所未有的機會！
存儲全產(chǎn)業(yè)鏈布局
在NOR Flash30億美元的市場規(guī)模中沖進市場份額前三，就讓兆易創(chuàng)新的利潤暴增，整個存儲芯片產(chǎn)業(yè)的市場體量可見一斑。這也不難解釋為什么美光、賽普拉斯愿意放棄NOR Flash的市場，畢竟DRAM、NAND Flash的市場可以達到千億美元級別！每一家廠商都想在這里面搶占更多的市場份額！
兆易創(chuàng)新年報稱，在NOR Flash上，高容量的256Mb NOR Flash產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，低容量開發(fā)了更具成本優(yōu)勢的新產(chǎn)品系列，工藝方面加大先進工藝節(jié)點 55nm和45nm NOR Flash 技術(shù)產(chǎn)品研發(fā)。
在NAND Flash上，兆易創(chuàng)新自己研發(fā)的38nm產(chǎn)品在2017年第三季度就已實現(xiàn)量產(chǎn)，而且可靠性領(lǐng)先于市面上同類產(chǎn)品，更先進的24nm工藝研發(fā)進展順利。
在DRAM這一存儲重點領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新也已開始行動。在2017年10月26日，兆易創(chuàng)新和合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團）有限公司簽署了存儲器研發(fā)相關(guān)合作協(xié)議。協(xié)議規(guī)定，據(jù)協(xié)議約定，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投依據(jù)1:4負責籌集資金，合作開展工藝制程19nm存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）研發(fā)項目，項目預算約為180億元人民幣。
兆易創(chuàng)新項目投產(chǎn)19nm成功后將成為全球第四家能夠掌握20nm內(nèi)的DRAM廠商，按照協(xié)議約定，目標是在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實現(xiàn)產(chǎn)品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%，以目前產(chǎn)能規(guī)劃及價格，項目達產(chǎn)后實現(xiàn)50億美金左右的銷售額。
毫無疑問，這對國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)是一個重大的推進，正式投產(chǎn)后兆易創(chuàng)新將成為全球第四大DRAM廠商。至此看來，兆易創(chuàng)新由點到面的全存儲芯片產(chǎn)品體系已經(jīng)基本搭建完成，只要與合肥合作的項目成功，兆易創(chuàng)新將從國產(chǎn)存儲芯片領(lǐng)先企業(yè)變?yōu)槭澜珙I(lǐng)先企業(yè)。
小結(jié)
有不少人認為，2018年將是國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)的元年，長江存儲、合肥長鑫和福建晉華都在緊鑼密鼓建設存儲芯片工廠，最快2018年下半年就會開始投產(chǎn)，這將是中國國產(chǎn)存儲芯片取得重大突破的一年。
盡管取得了不小的進步，但目前國內(nèi)的存儲芯片產(chǎn)業(yè)還只是在起步階段，就算能夠擁有自己的國產(chǎn)存儲芯片，技術(shù)上與國際存儲巨頭們的差距依舊很大，想要通過資本并購的方式來實現(xiàn)技術(shù)上質(zhì)的飛躍已經(jīng)被證明行不通。也許像兆易創(chuàng)新這樣，通過一個點的沉淀，再完成面的布局，腳踏實地的往前走，才是國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向所在。
（原標題：從點到面 兆易創(chuàng)新獨特的存儲產(chǎn)業(yè)布局）
