DRAM和NAND FLASH的存儲芯片自2016年以后經(jīng)歷了持續(xù)2年的漲價周期，成為半導(dǎo)體行業(yè)景氣周期最主要的驅(qū)動力，目前存儲在半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)占比超過1/3，其本身的周期對于半導(dǎo)體行業(yè)的周期影響較大，未來存儲的周期景氣持續(xù)時間有多久？這關(guān)成為影響半導(dǎo)體整體行業(yè)景氣度的關(guān)鍵變量。我們的判斷是：1）DRAM景氣周期將比NAND FLASH更長；2）我們判斷NAND FLASH于2018年見頂，而DRAM景氣高點將在2019年以后。
從需求端來看，本輪存儲的升級最大來源于云存儲、AI計算的爆發(fā)增長帶來的DRAM和NAND FLASH在服務(wù)器中需求大幅增長，同時4G全面推廣以后，智能手機拍照視頻分辨率持續(xù)提升，帶動了DRAM從2GB到4GB到6GB的持續(xù)提升，存儲也從16、32GB主流升級到64GB、128GB的主流配置。據(jù)IHS統(tǒng)計，DRAM在2016-2018年保持20%以上復(fù)合增速，而NAND FLASH在2016-2018年保持38%的復(fù)合增速。
我們認為對于行業(yè)景氣影響最大的在于產(chǎn)能擴張速度，2016和2017年，DRAM和NAND FLASH擴產(chǎn)速度都較慢，供需缺口持續(xù)上升推升了DRAM和NAND FLASH價格。而我們判斷，在2018年，隨著三星等3D NAND的良率提升，NAND FLASH的產(chǎn)能將會有大幅改善，預(yù)計18-19年行業(yè)NAND FLASH產(chǎn)能增速在45%以上，供需不足的剪刀差將大幅縮小，所以我們判斷NAND FLASH價格將在2018-2019年持續(xù)承壓。
另外方面DRAM的產(chǎn)能擴張相對會比NAND更為溫和，其中17、18年主要是以份額相對較小的美光和海力士擴產(chǎn)為主，三星的產(chǎn)能預(yù)計在18下半年開出（主要是Pyeongtaek工廠），所以從節(jié)奏上來看，18年下半年產(chǎn)能增速會相對較快，考慮到今年開始，國產(chǎn)手機大部分新機完整從2GB到3GB、4GB到6GB的升級，我們判斷判斷供需矛盾緩解要到2019年以后。
從更長的周期來看，未來AI服務(wù)器對于DRAM和NAND FLASH的需求量更大，而5G時代到來以后，手機更有望向10GB的DRAM和更大容量存儲升級，2019年以后的需求仍然將保持快速的增長，NAND FLASH和DRAM在景氣高點過去以后，我們判斷價格不會出現(xiàn)大幅下滑。
回到投資策略，我們繼續(xù)堅定看好下半年消費電子的復(fù)蘇行情，首推光學(xué)創(chuàng)新，重點標的是水晶光電和歐菲科技，立訊精密、順絡(luò)電子、信維通信和天通股份我們也堅定看好。
