因?yàn)橛⑻貭?4納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價(jià)格下跌造成的中低階挖礦機(jī)需求不振，及新興市場(chǎng)貨幣貶值造成的中低階手機(jī)銷(xiāo)售不佳，加上3D NAND轉(zhuǎn)到96層及DRAM轉(zhuǎn)到19納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加，等等因素疊加造成明年內(nèi)存DRAM和閃存NAND預(yù)計(jì)將會(huì)有3－5％的供過(guò)于求，價(jià)格下行趨勢(shì)確立，而將造成2019年整體存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5－9％及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比衰退1－4％。但此次下行趨勢(shì)預(yù)計(jì)不超過(guò)18個(gè)月。
美光預(yù)估第四季度前景低于市場(chǎng)預(yù)期
美光預(yù)期第四季度銷(xiāo)售環(huán)比衰退2－6％，同比成長(zhǎng)降速為16－22％（低于第三季度的38％同比成長(zhǎng)），并且低于市場(chǎng)預(yù)期近4％。雖然美光預(yù)期57－60％毛利，49％營(yíng)業(yè)利益，44％的凈利率都與市場(chǎng)預(yù)期相同，但遠(yuǎn)低于前兩季度的61％毛利，51－52％營(yíng)業(yè)利益，49－51％的凈利率。美光認(rèn)為第四季度銷(xiāo)售低于預(yù)期是因?yàn)橛⑻貭?4納米x86 CPU 短缺可能持續(xù)到明年第一季度（我們認(rèn)為英特爾應(yīng)該是短暫將產(chǎn)能轉(zhuǎn)去幫蘋(píng)果三款新手機(jī)做XMM7560基頻芯片）而造成某些特定客戶開(kāi)始清除因之前擔(dān)心漲價(jià)而多建的庫(kù)存，可能將持續(xù)數(shù)季度， 加上美國(guó)提高關(guān)稅的不利影響。而在產(chǎn)業(yè)下行趨勢(shì)拐點(diǎn)出現(xiàn)后，美光竟然提高2019年資本支出同比成長(zhǎng)16％到105億美金，預(yù)計(jì)透過(guò)96層3D NAND閃存的技術(shù)演進(jìn)將閃存產(chǎn)能位元成長(zhǎng)率（bit growth）拉高到超過(guò)40％（高于產(chǎn)業(yè)平均的35－40％同比成長(zhǎng)）。
供給過(guò)剩，價(jià)格下行趨勢(shì)確立
因?yàn)橛⑻貭?4納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價(jià)格下跌造成的中低階挖礦機(jī)需求不振，及新興市場(chǎng)貨幣貶值造成的中低階手機(jī)銷(xiāo)售不佳，但加上3D NAND閃存轉(zhuǎn)到96層及DRAM內(nèi)存轉(zhuǎn)到19納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加，預(yù)估明年內(nèi)存DRAM （23－25％供給vs． 20％需求）和閃存NAND（43－45％ 供給vs． 40％需求）將會(huì)有3－5％的供過(guò)于求，價(jià)格下行趨勢(shì)確立，預(yù)期在未來(lái)12個(gè)月內(nèi)，DRAM內(nèi)存每位元現(xiàn)貨價(jià)格（bit price）同比將衰退超過(guò)20％，NAND閃存現(xiàn)貨價(jià)格同比將衰退超過(guò)40％，而將造成2019年整體存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5－9％及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比衰退1－4％（但邏輯芯片將持續(xù)成長(zhǎng)）。我們的預(yù)估是比存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange對(duì)明年存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)5％的同比成長(zhǎng)預(yù)估（DRAM 7％ 同比成長(zhǎng)，NAND同比零成長(zhǎng)）來(lái)的悲觀許多，但DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告也因近期供過(guò)于求，而下修今年第四季度的DRAM合約價(jià)格預(yù)期，從1－3％價(jià)格環(huán)比下跌下修到5％的價(jià)格下跌。
這次下行趨勢(shì)有多糟？
雖然存儲(chǔ)器價(jià)格下行趨勢(shì)確立，但我們預(yù)估此次下行趨勢(shì)應(yīng)不超過(guò)18個(gè)月，英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應(yīng)會(huì)于明年中之前改善，10納米x86 CPU應(yīng)于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU， 7納米挖礦機(jī)及智能手機(jī)，5G手機(jī)等都將于明年出籠取代中低階機(jī)種及對(duì)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。因此我們預(yù)估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲(chǔ)器半導(dǎo)體公司會(huì)面對(duì)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率從近50％的高檔下滑，但卻不至于步入虧損。
對(duì)中國(guó)產(chǎn)業(yè)的影響？
雖然主流DRAM和3D NAND的下跌對(duì)NOR，SLC （Single－Level Cell， 單層單元閃存） NAND都會(huì)造成不良的影響，但只要這次下行趨勢(shì)不超過(guò)18個(gè)月，主流存儲(chǔ)器芯片大廠不步入虧損，預(yù)期主流存儲(chǔ)器廠商不會(huì)將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)入利基型NOR和SLC NAND閃存市場(chǎng)而造成其價(jià)格崩跌。預(yù)計(jì)NOR和SLC NAND閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏，華邦，兆易創(chuàng)新，武漢新芯將持續(xù)將產(chǎn)品從價(jià)格及獲利下行的中、低密度NOR轉(zhuǎn)為價(jià)格及獲利較好的高密度NOR和SLCNAND，而讓相關(guān)廠商同比獲利衰退幅度相對(duì)較小。但此下行趨勢(shì)對(duì)明年即將量產(chǎn)的中國(guó)主流存儲(chǔ)器芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)（3DNAND）， 合肥長(zhǎng)鑫（Mobile DRAM），福建晉華（NicheDRAM）當(dāng)然是雪上加霜。
