由于價(jià)格不斷下滑，NAND閃存及DRAM內(nèi)存已經(jīng)不再高不可攀，16GB內(nèi)存現(xiàn)在也只要600多塊，不如一年前單條8GB內(nèi)存的價(jià)格，而SSD硬盤跌的就更厲害了，1TB容量的也只要700多塊了，M.2版也沒貴出多少。
內(nèi)存閃存價(jià)格齊跌，但是這兩種存儲(chǔ)芯片也同樣面臨著制程微縮的難題，提升性能、降低成本之路也會(huì)越來越艱難，為此Intel、三星、美光等廠商也在尋求開發(fā)新一代存儲(chǔ)芯片解決方案，比如3D XPoint、MRAM磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、PRAM相變內(nèi)存及RRAM可變電阻內(nèi)存等。
上述新一代存儲(chǔ)芯片優(yōu)勢(shì)很多，它們既是非易失性的，不像DRAM內(nèi)存那樣斷電就不能保存數(shù)據(jù)，而且性能也要比NAND閃存快得多，簡(jiǎn)單來說就是模糊了RAM、ROM的界限，試想一下電腦重啟之后原來打開的網(wǎng)頁、播放的視頻還在是多么神奇的一件事，新一代存儲(chǔ)芯片就有這樣的效果。
不過這些芯片理論上性能動(dòng)輒是內(nèi)存、閃存的10倍、100倍甚至1000倍，但是目前的問題在于不論MRAM還是PRAM，它們現(xiàn)在的容量都很小，而且制造工藝也非標(biāo)準(zhǔn)化的，所以取代內(nèi)存閃存的過程是漫長(zhǎng)的。
目前做的比較的好也就是Intel的Optane傲騰內(nèi)存，傲騰DC可持續(xù)內(nèi)存（Optane DC Persistent Memory）單條容量目前提供128GB、256GB、512GB，插槽兼容DDR4，最大功耗18W，頻率最高等同于DDR4-2666，讀取帶寬最高6.8GB/s，寫入帶寬最高2.3GB/s。
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）日前發(fā)表報(bào)告，稱新一代存儲(chǔ)器與現(xiàn)有解決方案各有優(yōu)劣，最關(guān)鍵的機(jī)會(huì)點(diǎn)仍是在于價(jià)格。
由于新一代存儲(chǔ)器尚未規(guī)?；c標(biāo)準(zhǔn)化，因此成本較高，所以廠商目前幾乎都鎖定在數(shù)據(jù)中心等特殊應(yīng)用，尤其是超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心擁有相對(duì)高程度的定制化設(shè)計(jì)，可以針對(duì)不同存儲(chǔ)器規(guī)劃新的配置。
此外，DRAMeXchange認(rèn)為目前內(nèi)存、閃存價(jià)格下滑，并不是新一代存儲(chǔ)芯片進(jìn)入市場(chǎng)的機(jī)會(huì)，他們預(yù)計(jì)明年內(nèi)存、閃存價(jià)格就會(huì)止跌反彈，這個(gè)時(shí)候也是新一代存儲(chǔ)芯片進(jìn)入市場(chǎng)的好機(jī)會(huì)。
