資料圖（來自： Micron，via AnandTech）
值得一提的是，第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗，較同頻的兩個(gè) 8Gb DDR4 DRAM 還要低 40% 。
至于 16 Gb LPDDR4X IC，美光稱其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工藝較第二代 1Y nm 的比特密度更高，該公司可產(chǎn)出性價(jià)比更高的存儲(chǔ)芯片。
鑒于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分檔，我們只能預(yù)計(jì)其符合 JEDEC 的官方指定范圍內(nèi)。
預(yù)計(jì)首批 16 Gb DDR4 DRAM 產(chǎn)品將用于臺(tái)式機(jī)、筆記本、工作站上的高容量（32GB 或更高）內(nèi)存模組。
移動(dòng)存儲(chǔ)器方面，美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的傳輸速率可達(dá) 4266 MT/s 。
除了為高端智能機(jī)提供高達(dá) 16 GB （8x16Gb）的 LPDDR4X DRAM 封裝，美光還將提供基于 UFS 的多芯片封裝（uMCP4），將 NAND 用于存儲(chǔ)和 DRAM 。
該公司針對(duì)主流手機(jī)的 uMCP4 系列產(chǎn)品，將包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等產(chǎn)品。
最后，美光沒有透露其生產(chǎn) 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工廠。不出意外的話，應(yīng)該會(huì)在日本廣島工廠內(nèi)生產(chǎn)。
與此同時(shí)，分析師猜測(cè)該公司會(huì)在臺(tái)中附近的 Micron Memory Taiwan （前 Rexchip Semiconductor）晶圓廠啟用 1Z nm 制程生產(chǎn)線。
