東芝存儲最近在國際存儲峰會上舉行了一次發(fā)布會，展示了未來他們的閃存生產(chǎn)路線圖。其中重點講解了自家的多層堆疊閃存顆粒規(guī)劃以及QLC之后的PLC顆粒的情況。
圖片來自于Tom's Hardware
BiCS閃存是東芝存儲對于自家的3D多層堆疊式閃存顆粒的正式稱呼，目前已經(jīng)發(fā)展到了第4代，也就是96層堆疊的3D閃存。在接下去的每一代BiCS中，東芝都會對應(yīng)一種新的PCIe標準，比如BiCS 5會對應(yīng)PCIe 4.0，BiCS 6會對應(yīng)PCIe 5.0等，但沒有提供具體的時間表，并且在閃存帶寬上面，每一代BiCS都會有所進步，從目前的800MT/s一直到未來第6代的1600MT/s，計劃中的第7代將超過2000MT/s。
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同時東芝已經(jīng)在準備QLC的下一代，也就是每單元存儲5bit數(shù)據(jù)的顆粒生產(chǎn)了，我們知道，2^5^是32，也就是每單元會出現(xiàn)32種電壓狀態(tài)，相比起TLC的8種、QLC的16種來說，PLC（Penta-level cell）的技術(shù)難度更高了。不過東芝稱他們的PLC已經(jīng)通過了驗證，達到了可以使用的級別了。
而且現(xiàn)在QLC還沒得到大規(guī)模應(yīng)用的有幾個原因，其中最為致命的就是它的速度還是太慢了，目前民用級市場上的大部分QLC產(chǎn)品都配置了SLC Cache，在緩存寫完之后這些產(chǎn)品的持續(xù)寫入速度甚至還不如一塊機械硬盤，這在很多人看來都是不可接受的事情，而PLC初期只會比QLC更慢。
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東芝還宣布了一項新的工藝技術(shù)，它可以將原本的一個單元切割成兩半，同時保留原有的3D閃存工藝。在這種新工藝技術(shù)之下，東芝可以做到更大的die密度，并且在所有形式、全代數(shù)的BiCS閃存上都可以使用。
