目前的內存主要有DRAM和flash 2種，其各有優(yōu)點也各自缺點。而一種新型存儲器——ULTRARAM™，兼具2種存儲的優(yōu)點，卻克服了它們的缺點。
研究于3月25日發(fā)表在《IEEE電子器件學報》上，標題為“ULTRARAM:Toward the Development of a III-V Semiconductor,Nonvolatile,Random Access Memory”(超隨機存取存儲器：朝著III-V半導體、非易失性、隨機存取存儲器的方向發(fā)展)，通訊作者為蘭開斯特大學物理系的D.Lane。
DRAM速度很快，因此用于工作內存，但它是易失性的，只擁有“短期記憶”;Flash是非易失性的，允許長期記錄數據，但寫入輸出速度非常慢，而且會磨損。它非常適合用于數據存儲，但不能用于頻繁寫入讀取的日?；顒印?/p>
科學家層設想過一種“通用存儲器”，技能可靠地存儲數據，又很容易寫入。不過，過去一直認為這種存儲器是異想天開。
現在情況發(fā)生了變化。在研究中，科學家通過利用一種稱為共振隧道的量子力學效應來解決通用存儲的悖論，這種效應允許屏障通過施加小電壓從不透明變?yōu)橥该鳌＿@種新型非易失性RAM被命名為ULTRARAM™，是“通用內存”概念的成熟產品，擁有DRAM和flash的所有優(yōu)點，并且沒有任何缺點。
在研究中，研究人員首次將ULTRARAM™設備集成進小型(4位)陣列，使其能夠通過實驗驗證這種新穎的、申請了專利的內存結構。
