全球存儲芯片產(chǎn)能產(chǎn)值逐漸恢復增長，三大領軍企業(yè)的財報體現(xiàn)了這一點。
7月29日，三星電子公布了今年第二季度財報。根據(jù)財報，三星電子第二季度營收63.67萬億韓元(約合3572.5億元)，創(chuàng)有史以來第二季度收入最高；凈利潤達9.45萬億韓元(約合530.2億元)。三星表示，本次收入的大幅提升，主要是因為內(nèi)存芯片（DRAM和NAND）的出貨量和價格增幅均超出預期。
7月27日，SK海力士發(fā)布第二季度財報，其第二季度收入為10.322萬億韓元(約合579.2億元)，凈利潤為1.988萬億韓元(約合111.5億元)，凈利潤率為19%。SK海力士表示，從今年初開始，PC、圖像處理、消費級存儲器需求大幅增加，服務器用存儲器需求也得到恢復，從而帶動了業(yè)績的改善。這是繼2018年第三季度之后，時隔3年再次出現(xiàn)的佳績。并預期，今年下半年的需求也將持續(xù)增加，并隨著進入旺季，存儲器市場的良好趨勢將持續(xù)下去。
7月1日，美光科技發(fā)布截至6月3日的第三財季報告，營收74.22億美元(約合479.5億元)，毛利潤為31.26億美元(約合202億元)，毛利率為42.1%。美光科技總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)表示DRAM和NAND的價格上漲和客戶的需求推動了收入增長。DRAM第三財季收入為54億美元，占總收入的73%。NAND第三財季收入為18億美元，占總收入的24%，創(chuàng)下公司歷史新高，并預計，隨著全球經(jīng)濟復蘇，DRAM和NAND的供應將在2022年繼續(xù)緊張。雖然新冠肺炎疫情仍然是一個風險因素，但受宏觀經(jīng)濟復蘇以及AI和5G等長期驅(qū)動因素的推動，2021年正成為半導體企業(yè)強勁增長的一年。由此看出存儲芯片市場在經(jīng)歷上一年的價格波動之后，正在逐漸回暖，重回發(fā)展快車道。
壟斷是存儲芯片價格波動大的原因之一
2019年，受全球缺芯潮、新冠肺炎疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響，存儲芯片價格出現(xiàn)持續(xù)波動，給各大存儲芯片廠商帶來了沖擊。據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）統(tǒng)計，2019年全球存儲芯片的市場規(guī)模為1064億美元，相比2018年減少了516億美元，而2020年回升到1175億美元，增長了111億美元，出現(xiàn)穩(wěn)定上升勢頭。同時，WSTS預計2021年全球半導體產(chǎn)值將達5272億美元，同比增長19.7%；其中，存儲器產(chǎn)值同比增長31.7%，增幅將居首位；2022年全球半導體產(chǎn)值可望進一步達5734億美元，同比增長8.8%；其中，存儲器產(chǎn)值將成長17.4%，增幅仍將高居第一。這說明，存儲芯片成為全球半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的主要推動力，并始終保持超高成長性。
對于存儲芯片的價格波動問題，賽迪顧問集成電路產(chǎn)業(yè)研究中心研究員楊俊剛表示，存儲芯片產(chǎn)品價格具有周期性，存儲芯片的產(chǎn)品價格主要和市場需求、產(chǎn)品存量、產(chǎn)品更新迭代有一定的關系。近期，全球芯片整體處于缺貨狀態(tài)，雖然存儲芯片屬于通用型產(chǎn)品，但是也受到了全球芯片缺貨的影響，導致存儲芯片價格有一定的波動。
創(chuàng)道投資咨詢總經(jīng)理步日欣向《中國電子報》記者指出，存儲芯片價格向來是半導體領域價格波動較為明顯的品類，主要原因就是整個市場格局處在壟斷狀態(tài)，幾大巨頭很容易就價格上漲達成默契。
中國存儲芯片參與全球競爭還需時日
我國是存儲芯片需求量最高的國家，據(jù)賽迪顧問的數(shù)據(jù)，2020年中國存儲器市場規(guī)模約為4266億元，按WSTS預計的2020年全球存儲器市場規(guī)?；鶖?shù)(約合7593.9億元)估算，中國市場約占全球整體規(guī)模的56%。預計未來中國存儲芯片市場需求還將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長的態(tài)勢。
楊俊剛指出，我國在存儲芯片領域也已取得了不俗的成績，合肥長鑫量產(chǎn)了國內(nèi)首款19nm DDR4內(nèi)存芯片；長江存儲完成了64層3D NAND Flash的量產(chǎn)，并且完成了128層3D NAND Flash產(chǎn)品的研發(fā)，已經(jīng)通過客戶驗證階段；兆易創(chuàng)新Nor Flash的市場份額已經(jīng)進入全球前三；聚辰半導體的EEPROM的市場份額也已經(jīng)進入全球前三。
聯(lián)蕓科技執(zhí)行副總裁李國陽向《中國電子報》記者表示：“目前在存儲芯片領域，我國實現(xiàn)了DDR3/4 DRAM及64/128層3D NAND閃存顆粒技術(shù)突破，并初步實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)和產(chǎn)能釋放，這是我國在存儲芯片領域零的突破和標志性成就?；诋斍暗募夹g(shù)突破和產(chǎn)能持續(xù)釋放，以及良品率和可靠性的不斷提升，相信再經(jīng)過5年的發(fā)展，我國將有可能真正成為全球存儲芯片重要的參與者和貢獻者。”
不過，目前我國存儲產(chǎn)業(yè)與國外存儲廠商仍存在較大差距。楊俊剛解釋道，我國屬于剛?cè)刖终?，在技術(shù)水平、研發(fā)能力、產(chǎn)品種類、產(chǎn)品迭代速度、資金實力、知識產(chǎn)權(quán)、市場份額等方面和全球先進廠商有一定的差距。目前我國在中低端存儲芯片的技術(shù)水平已經(jīng)慢慢后來居上。
而步日欣向《中國電子報》記者指出，對于存儲芯片，我們的挑戰(zhàn)不僅存在于資本投入、技術(shù)攻關，還存在于市場生態(tài)的建立，下一步要打通整個產(chǎn)業(yè)鏈條的環(huán)節(jié)，讓國產(chǎn)存儲芯片找到用武之地，逐步利用本土優(yōu)勢，循序漸進地搶占市場。“存儲芯片行業(yè)知識產(chǎn)權(quán)壁壘較高，具有高技術(shù)門檻的特性，而且一般采用IDM模式，需要大額的資本投入，才有可能實現(xiàn)突破?；谶@一行業(yè)特性，要有效推動存儲芯片發(fā)展，在依靠市場化手段的同時，更需要政策引導，統(tǒng)籌推動國產(chǎn)芯片的應用場景落地、技術(shù)更新和迭代。”
