本文來(lái)自微信公眾號(hào)“全球半導(dǎo)體觀察”，作者/Jump。
8月30日，德國(guó)博世集團(tuán)表示，其已經(jīng)收購(gòu)了加州芯片制造商TSI Semiconductors，此舉旨在美國(guó)建立碳化硅芯片制造基地，使電動(dòng)汽車(EV)的行駛時(shí)間更長(zhǎng)。
針對(duì)收購(gòu)價(jià)格博世并未對(duì)外透露，在此前的4月份，博世表示其收購(gòu)TSI之后，還將投資15億美元對(duì)加州的羅斯維爾工廠進(jìn)行改造，生產(chǎn)碳化硅芯片。收購(gòu)?fù)瓿芍螅搹S將與德國(guó)的另外兩大晶圓廠一同成為博世的三大半導(dǎo)體制造支柱，并自2026年開始生產(chǎn)SiC晶圓。
博世表示，加州政府已經(jīng)批準(zhǔn)為這家公司提供2500萬(wàn)美元的稅收減免，而最終是否將工廠擴(kuò)建到預(yù)定規(guī)模，主要取決于美國(guó)政府以及地方政府的財(cái)政補(bǔ)貼。
TSI Semiconductors成立于1996年，總部位于加利福尼亞州圣何塞，專門從事模擬、混合信號(hào)和射頻(RF)集成電路設(shè)計(jì)和制造，目前主要以8英寸制造為主。
博世管理委員會(huì)主席Stefan Hartung博士表示：“通過(guò)收購(gòu)TSI Semiconductors，我們正在一個(gè)重要的銷售市場(chǎng)建立SiC芯片的制造能力，同時(shí)也在全球范圍內(nèi)增加我們的半導(dǎo)體制造。羅斯維爾現(xiàn)有的潔凈室設(shè)施和專家人員將使我們能夠更大規(guī)模地制造用于電動(dòng)汽車的SiC芯片。”
除了此次收購(gòu)TSI之外，在本月中旬，博世宣布投資6500萬(wàn)歐元在馬來(lái)西亞開設(shè)一個(gè)新的芯片和傳感器測(cè)試中心，并計(jì)劃在未來(lái)10年繼續(xù)投資2.85億歐元，以支持該中心的持續(xù)發(fā)展和增長(zhǎng)。今年1月，博世又計(jì)劃在江蘇蘇州建設(shè)一家工廠（博世新能源汽車核心部件及自動(dòng)駕駛研發(fā)制造基地），生產(chǎn)內(nèi)容包含SiC功率模塊等，主要目的是為當(dāng)?shù)仄囍圃焐烫峁┭邪l(fā)、測(cè)試和制造汽車零件以及自動(dòng)駕駛技術(shù)。該基地已于3月奠基。
隨著全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)需求的爆發(fā)。博世已經(jīng)計(jì)劃再投資30億歐元用于半導(dǎo)體布局，投資重點(diǎn)放在SoC（系統(tǒng)芯片）和功率半導(dǎo)體的開發(fā)上，投資計(jì)劃將在2026年之前實(shí)施。這筆投資的一部分將用于建設(shè)兩個(gè)新的芯片研發(fā)中心，其中一個(gè)位于德國(guó)羅伊特林根，另一個(gè)位于德累斯頓。博世還計(jì)劃擴(kuò)建工廠，增加潔凈室面積，特別是在德累斯頓。
