在經(jīng)歷一段漫長的發(fā)展后,存儲市場迎來黃金發(fā)展期。目前，全國存儲市場增長強(qiáng)勁。據(jù)國外分析機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)測，半導(dǎo)體資本年支出將首次超1000億美元，其中存儲占比為53%。
如下圖所示，超過一半的行業(yè)資本支出預(yù)計(jì)用于內(nèi)存生產(chǎn)——主要是DRAM和閃存，這些支出包括了對現(xiàn)有晶圓廠線和全新制造設(shè)施的升級?？偟膩碚f，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53％。
數(shù)據(jù)顯示，存儲設(shè)備的資本支出份額在過去六年大幅增加，幾乎翻了一番，從2013年的27％（147億美元）增加到2018年的行業(yè)資本支出總額的53％（540億美元），也就是說存儲產(chǎn)業(yè)的投資在2013-2018年間的復(fù)合年增長率高達(dá)30％。
IC Insights也表示，經(jīng)過兩年的資本支出大幅增加，一個(gè)迫在眉睫的主要問題是，高水平的支出是否會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和價(jià)格下降。
他們表示，存儲市場的歷史先例表明，過多的支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和隨后的價(jià)格疲軟。 但目前看來，包括三星，SK海力士，美光，英特爾，東芝/西部數(shù)據(jù)/ SanDisk和XMC /長江存儲技術(shù)都計(jì)劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量（以及更多中國新內(nèi)存創(chuàng)業(yè)公司進(jìn)入市場） 。（來源：內(nèi)容由半導(dǎo)體行業(yè)觀察翻譯自IC Insights）
IC Insights認(rèn)為，未來3D NAND閃存市場需求過高的風(fēng)險(xiǎn)正在高漲且不斷增長。
（原標(biāo)題：IC Insights：半導(dǎo)體資本年支出將首次超過千億美元，存儲占比53%）
